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基于超薄氧化铟锡的场效应晶体管制备及性能研究
一、引言
随着现代电子技术的快速发展，场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）作为电子设备中的核心元件，其性能的优劣直接影响到整个设备的性能。近年来，超薄氧化铟锡（IndiumTinOxide，简称ITO）材料因其良好的导电性、高透明度和稳定的化学性质，被广泛应用于场效应晶体管的制备。本文旨在研究基于超薄氧化铟锡的场效应晶体管的制备工艺及其性能表现。
二、超薄氧化铟锡材料概述
超薄氧化铟锡是一种具有高导电性和高透明度的透明导电氧化物材料。其制备工艺成熟，具有良好的化学稳定性和热稳定性。在光电器件、触摸屏、液晶显
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