- 1、本文档共14页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
目录
BC电池结构复杂,工艺难度较高,能够与TOPCon、HJT叠加 1
BC兼具高效率和美观性,有望在高价市场获得高额溢价 5
25年BC放量趋势确定性较强,隆基、爱旭引领BC技术发展 7
投资建议:25年BC有望快速放量,关注弹性较大标的 11
风险分析 12
图表目录
图1:TOPCon电池栅线和PN结均位于电池正面 1
图2:IBC电池栅线和PN结均位于电池背面 1
图3:经典的IBC电池结构 2
图4:N型BC生产工艺路线包含多道激光工艺 2
图5:IBC结构可与HJT、TOPCon叠加 3
图6:TBC电池在IBC电池基础上叠加TOPCon钝化结构 3
图7:HBC采用氢化非晶硅实现钝化效果 4
图8:IBC电池效率整体高于其他电池技术 5
图9:IBC电池相较于其他路线复合电流密度优势显著 5
图10:BC组件效率高于TOPCon,且温度系数、衰减率更低,但双面率低于TOPCon组件 5
图11:组件功率(72片182版型)每提升10W,意大利、澳洲BOS成本分别节省1.5、1.1美分 6
图12:IBC电池正面无栅线 6
图13:北欧建筑屋顶以黑色或灰色为主,全黑组件与欧洲建筑屋顶能够更好融合 6
图14:隆基Hi-MOX10具备优异产品性能 7
图15:隆基Hi-MOX10在多个领域实现技术突破 7
图16:爱旭股份BC产品已涵盖集中式电站、工商业以及户用三大场景 8
图17:预计2024年底国内BC产能以爱旭、隆基为主 9
图18:预计2025/2026年国内BC产能达105/175GW(GW) 9
图19:2024年下半年以来央国企涉及BC组件的招标规模达2.6GW 9
图20:华能集团2024年光伏组件(第二批)集采中BC组件相较TOPCon组件具备一定溢价 10
图21:重点标的盈利预测(截至2025年2月5日) 11
请务必阅读正文之后的免责条款和声明。
BC电池结构复杂,工艺难度较高,能够与TOPCon、HJT叠加
背接触(BackContact,BC)电池的概念最早可追溯至20世纪70年代MichaelD.Lammert和RichardJ.Schwartz的论文《Theinterdigitatedbackcontactsolarcell:Asiliconsolarcellforuseinconcentratedsunlight》。该论文指出,这种类型的电池在高聚光水平下使用时,相比传统太阳能电池设计具有显著优势,即降低了内部串联电阻、具有非饱和开路电压以及不存在因正面接触指而产生的遮光。
IBC电池正面无栅线、背面电极叉指状排列,工艺复杂且精度要求高。1975年,Schwartz和Lammert首次提出背接触式太阳电池概念。经过多年发展,人们研发出了叉指式背接触(IBC)太阳电池。IBC最大特点是正面无栅线,而是在电池背面制备出呈叉指状间隔排列的P、N区,以及在其上面分别形成金属化栅线。
图1:TOPCon电池栅线和PN结均位于电池正面 图2:IBC电池栅线和PN结均位于电池背面
数据来源:《一种TOPCon电池的电极结构及其制备方法和应用》,证券
数据来源:盖锡咨询,证券
IBC电池结构复杂,对硅片体寿命要求更高,大部分均以N型硅片为衬底。IBC电池发射极位于电池背面,而入射光中能量较大的光子在电池前表面区域被吸收生成电子空穴对之后,前表面处的非平衡少子需运动至少整个衬底厚度并达到背面P/N结附近才可以被有效收集、分离,因此IBC电池对硅片体寿命要求更高。由于N型硅片具有更高的体寿命,能够保证非平衡载流子在复合前顺利到达背面P/N结区域,因此目前大部分IBC电池均以N型硅片为衬底。
在IBC电池的正面结构中,一般先是通过掺磷形成n+FSF(正表面场),能够有效阻挡少子向较高缺陷密度的表面附近移动,降低少子复合几率。之后再在正面形成SiO2/SiNx叠层钝化,一是起到减反作用,提高电池对光的吸收率,二是可以抑制电池表面少子复合。电池背面通过掺硼/磷形成交叉排布的n+BSF(背表面场)
/p+emitter(发射极),两者之间由未进行重掺杂的基区分隔开来,且各掺杂区对应的正负电极栅线也交叉排布
在IBC电池的背表面。其中p+emitter与N型硅片形成PN结,n+BSF与
文档评论(0)