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新型二维材料ZrCl2的制备及其在忆阻器中的应用.pdf

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    摘要

    随着信息时代的蓬勃发展及人工智能技术的不断进步，人类对于新型计算系统的需求日

    益凸显，尤其是在低功耗和高灵敏性方面。然而，摩尔定律逐渐逼近其物理极限，传统的冯·诺

    伊曼计算架构已难以满足当前及未来对算力的需求。在这一背景下，忆阻器作为一种具有“三

    明治”结构的新型器件，其融合计算和存储的特性为突破冯·诺伊曼瓶颈提供新的可能。忆阻

    器的基本构造包括两个电极以及夹于其间的忆阻层。其独特之处在于能够通过调节输入的电

    信号来改变自身的电阻状态，从而模拟生物突触的行为。这使得忆阻器成为构建人工神经网络

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