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氮化物紫外光电探测器制备及性能优化研究.pdf

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摘要

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探测器往往对这一波段光谱响应较弱,无法满足对其进行准确探测的需求。AlGaN

作为一种典型的第三代半导体材料,通过改变Al/Ga比例,带隙在3.4~6.26eV之间

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