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模拟电子技术PN结
二、杂质半导体杂质半导体——掺入微量元素的原子称为杂质，掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体有P型半导体和N型半导体两大类。N型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。P型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素，如硼、铟（杂质）所构成。
二、杂质半导体在本征半导体中掺入适量的三价元素(如硼）多子——空穴少子——自由电子带正电吗？1.P型半导体空穴硼原子硅原子正电：空穴(杂质引发的)+本征激发的空穴电中性：负电：负离子+本征激发的电子
在本征半导体中掺入适量的五价元素(如磷）多子——自由电子少子——空穴自由电子数(本征激发产生的+杂质提供的)=空穴数+正离子数电中性带电吗？2.N型半导体二、杂质半导体多余电子磷原子硅原子
二、杂质半导体3.杂质半导体的特性（1）载流子的浓度杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，多子浓度越大，导电能力越强；少子浓度与温度有关。一定温度下，多子少子保持它的平衡浓度。（2）体电阻通常把杂质半导体的电阻称为体电阻。集成电路中电阻一般都是体电阻（3）转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。集成电路常采用“扩散Diffusion”工序实现半导体的转型。将P、N结合在一起，会怎样？思考
通过一定的工艺（扩散工艺），将P型半导体和N型半导体结合在一起。交接面形成PN结Junction→形成稳定的空间电荷区，即PN结P、N两区载流子浓度差，产生多子扩散运动→阻止多子扩散，促使少子漂移→内电场→形成空间电荷区，建立内电场由N到P当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时三、PN结PN结又称空间电荷区，势垒区、耗尽层，阻挡层空间电荷区势垒UO硅0.5V锗0.1V
若P、N两区掺杂浓度相同，称为对称结，可表示为PN。若P、N两区掺杂浓度不同，称为非对称结，可表示为P+N或PN+。P区掺杂浓度大于N区表示为P+N，反之或PN+。三、PN结
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