《模拟电子技术》课件——半导体二极管的认知.pptx

模拟电子技术半导体二极管的认知

构成：PN结+引线+管壳=二极管(Diode)PN阳极阴极符号：阳(正)极阴(负)极分类：按材料分硅二极管锗二极管按用途分普通二极管整流二极管稳压二极管开关二极管按结构工艺分点接触型面接触型平面型半导体二极管的认知三角代表正向电流，竖线代表反向截止

二极管按其结构可分为点接触型、面接触型和平面型。结面积小结电容小小电流高频结面积大结电容大大电流低频结面积可控低频或高频高频检波、开关低频整流电路面积大的可用于低频整流，面积小的可用于高频电路数字脉冲电路半导体二极管的认知

1.二极管的伏安特性注意：考虑体电阻、引线电阻等与PN结伏安特性略有不同，不过坐标原点正向特性：死区0.5V硅管，0.1V锗管Uon(Uth)死区电压、起始导通电压、门坎电压、阈值电压非线性区指数规律变化UonUthThreshold准线性区正向压降UF：硅管(0.6?0.8)V取0.7v锗管(0.1?0.3)V取0.2V反向特性：ID=IS0.1?A(硅)几十?A(锗)越小越好反向击穿特性：实际击穿电压比PN结的要小击穿了管子不一定损坏OuD/VID/mA正向特性Uon反向特性ISU(BR)死区半导体二极管的认知

1.二极管的伏安特性T升高时，Uon以(2?2.5)mV/?C下降温度每升高10?C，IS约增大1倍一般，硅管允许结温150~200?C锗管允许结温75~100?C温度升高，扩散加强，同一电流下正向压降降低，正向曲线左移；温度升高，本征激发加强，少子增加，反向曲线下移604020–0.0200.4–25–50ID/mAUD/V20?C90?C半导体二极管的认知

2.二极管的主要参数1.IFM—最大整流电流(最大正向电流)2.URM—最高反向工作电压，(1/3~1/2)U(BR)3.IR—反向电流(随温度变化,越小单向导电性越好)4.fM—最高工作频率(主要取决于PN结结电容大小)半导体二极管的认知

3、二极管直流电阻和交流电阻(1)直流电阻(2)交流电阻Q点越高，ID越大，rd越小IDUDU(BR)IFURMOQ

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