晶圆级芯片的CIS封装结构.pdf

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（10）申请公布号

CN203491261U

（43）申请公布日2014.03.19

（21）申请号CN201320581921.2

（22）申请日2013.09.18

（71）申请人昆山西钛微电子科技有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

（72）发明人王晔晔;张春艳;黄小花;戴青;陆明;廖建亚;朱琳;张良;范俊;沈建树;朱林;丁超

（74）专利代理机构昆山四方专利事务所

代理人盛建德

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

晶圆级芯片的CIS封装结构

（57）摘要

本实用新型公开了一种晶圆级芯片的CIS

封装结构，每个芯片单元包括硅基材层，相邻两

个硅基材层之间形成切割道，沿切割道开设有槽

状第一开口，第一开口厚度方向贯通硅基材层，

且第一开口的宽度大于后续切割所使用的刀片的

厚度，在第一开口上方两侧的硅基材层上分别开

设有若干个孔状第二开口，且若干个第二开口沿

第一开口长度方向间隔排布，第二开口贯通硅基

材层。要求第一开口的深度小于硅基材层厚度

时，在第一开口和第二开口形成之前，在硅基材

层切割道处先开设宽度大于两边芯片PIN脚距离

的槽状第三开口。本实用新型能够有效避免芯片

切割时产生晶圆表面硅微裂，减少在切割时造成

的芯片不必要的损伤，使芯片中间的硅基材层保

持完整无裂纹。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2014-03-19授权授权

权利要求说明书

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说明书

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