晶体管及其基本放大电路.pptVIP

当ui=0uBE=UBEQiB=IBQiC=ICQuCE=UCEQ当ui=Uimsin?tib=Ibmsin?tic=Icmsin?tuce=–Ucemsin?tuo=uceiB=IBQ+Ibmsin?tiC=ICQ+Icmsin?tuCE=UCEQ–Ucemsin?t=UCEQ+Ucemsin(180°–?t)优点:可以直观全面地了解放大电路的工作情况，通过选择电路参数在特性曲线上合理地设置静态工作点，分析最大不失真输出电压、失真情况并估算动态工作范围。01缺点:在特性曲线上作图比较繁琐，误差大，信号频率较高时，特性曲线不再适用。因此图解法只适合分析输出幅值比较大且工作频率较低的情况。在分析其他动态指标，如输入电阻、输出电阻等时比较困难。下一节将要讨论更为简便有效的分析方法，微变等效电路分析法。02图解法的优缺点5微变等效电路分析法rbe的求取低频H参数电路模型2.5.1晶体管的低频小信号微变等效模型1.低频H参数电路模型晶体管虽然具有非线性的输入、输出特性，但当它工作于小信号时，工作点只在Q点附近一个很小的范围内移动，即各电量的总瞬时值iB、uBE、iC、uCE在直流分量IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ基础上作变化时，其变化量（即交流分量）ib、ic、ube、uce很小。在这一范围内，可近似认为晶体管的输入、输出特性是线性的，因此，就可以用一个线性的二端口网络来等效非线性的晶体管。2.5.1晶体管的低频小信号微变等效模型根据晶体管端口电压、电流关系可导出晶体管的H参数电路模型。在小信号情况下，对上两式取全微分得对于BJT双口网络，我们已经知道输入输出特性曲线如下：uBE=f(iB，uCE)iC=g(iB，uCE)一.求变化量之间的关系输出端交流短路时的输入电阻；H参数的含义和求法能构成电路图吗压传输比输入端电流恒定（交流开路）的反向电输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。三﹑H参数小信号模型根据可得小信号模型BJT的H参数模型hfeibicuceibubehrevcehiehoeube=hieib+hreuceic=hfeib+hoeuceuBEuCEiBcebiCBJT双口网络H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。H参数与工作点有关，在放大区基本不变。2.rbe的求取发射结电流发射结电阻为发射结的电压，IS为发射结的反向饱和电流，UT，所以，求导得,发射结电阻为PN结伏安特性曲线在静态工作点处切线斜率的倒数，当用Q点的切线的斜率取代Q点附近的曲线时即根据输入电阻的定义实验表明：IEQ有一定的的适用范围，0.1mAIEQ5mA，超越此范围将会给rbe带来较大误差。输入电阻rbe1.共发射极放大电路的静态分析uiuo共射极放大电路2.5.2共发射极放大电路的分析2.共发射极放大电路的动态分析画微变等效电路rbeRbRCRL1.电压放大倍数的计算负载电阻越小，放大倍数越小。rbeRbRCRL电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。rbeRbRCRL2.输入电阻的计算：根据输入电阻的定义：所以：用加压求流法求输出电阻：3.输出电阻的计算：根据定义rbeRbRC00源电压放大倍数。由的定义总是小于，为了提高可以增大输入电阻，Ri越大，越接近于也越接近于晶体管放大电路动态分析步骤①分析直流电路，求出“Q”，计算rbe。②画电路的交流通路。③在交流通路上把三极管画成H参数模型。分析计算叠加在“Q”点上的各极交流量。④分析计算电压放大倍数,输入,输出电阻及各极交流量。求：1.静态工作点。例电压增益AU、输入电阻Ri、输出电阻R0。3.若输出电压的波形出现如下失真，是截止还是饱和失真？应调节哪个元件？如何调节？解：1.IcVCE思路：微变等效电路AU、Ri、R0判断非线性失真是截止还是饱和失真？应调节哪个元件？如何调节？例?=100，uS=10sin?t(mV)，求叠加在“Q”点上的