超低缺陷大尺寸导电型碳化硅衬底制备关键技术研发项目实施方案.pptx

超低缺陷大尺寸导电型碳化硅衬底制备关键技术研发项目实施方案;目录;项目背景与目标;碳化硅市场前景;;项目提出背景及意义;研发出具有超低缺陷、大尺寸、高导电性能的碳化硅衬底制备关键技术，并实现产业化生产。;关键技术分析与创新点阐述;加工与抛光技术;采用先进的检测技术，如电子显微镜、X射线衍射等，对碳化硅衬底中的缺陷进行准确检测和识别。;导电型碳化硅衬底特殊需求及挑战;;实施方案设计及优化策略探讨;项目背景与目标;关键工序详细设计与优化措施;设备选型与生产线布局规划;节能减排措施;研发团队与产学研合作模式介绍;管理与支持人员;选择具有一流科研实力和丰富研究经验的合作单位，共同攻克技术难题。;协同创新机制建立及实施计划;人才培养计划;预期成果与风险评估及应对措施;成功研发出超低缺陷、大尺寸的导电型碳化硅衬底，满足半导体器件制造的高要求。;;;碳化硅衬底作为半导体器件的核心材料，具有广泛的应用前景。

随着新能源、电力电子等领域的快速发展，对高性能碳化硅衬底的需求将不断增长。;项目进度安排与经费预算编制;编制依据;关键节点时间把控和进度监控;;资金使用管理和监督机制建立;感谢观看