1200 V～1700 V绝缘栅双极型晶体管驱动器.docxVIP

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1200V～1700V绝缘栅双极型晶体管驱动器

1范围

本文件规定了1200V～1700V绝缘栅双极型晶体管驱动器的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。

本文件适用于新能源、变频驱动、工业逆变等领域应用的1200V～1700V绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1—2008电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验A:低温

GB/T2423.2—2008电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验B:高温

GB/T2423.4—2008电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Db交变湿热（12h＋12h循环）

GB/T2423.5—2019环境试验第2部分:试验方法试验Ea和导则:冲击

GB/T2423.10—2019环境试验第2部分:试验方法试验Fc:振动（正弦）

GB/T2423.17—2008电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Ka:盐雾

GB/T2423.50—2012环境试验第2部分:试验方法试验Cy:恒定湿热主要用于元件的加速试验

GB/T2423.56—2018环境试验第2部分:试验方法试验Fh:宽带随机振动和导则GB/T2829—2002周期检验计数抽样程序及表（适用于对过程稳定性的检验）

GB/T4937.1半导体器件机械和气候试验方法

GB/T4798.3-2007电工电子产品应用环境条件第3部分:有气候防护场所固定使用的要求

GB/T7354—2003局部放电测量

GB/T15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件

GB/T17574—1998半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路

GB/T17626.4—2008电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

GB/T29332半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB/T29309—2012电工电子产品加速应力试验规程高加速寿命试验导则GB/T39392—2020家用电器专用智能功率模块技术规范

IEC61800-5-1:2007（Adjustablespeedelectricalpowerdrivesystems-Part5-1:Safety

requirements-Electrical,thermalandenergy）SJ3212—1989电子产品运输包装总技术条件

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3术语和定义

GB/T29332界定的术语和定义适用于本文件。

4缩略语

下列缩略语适用于本文件：

IGBT：绝缘栅双极型晶体管；PWM：脉冲宽度调制；

VCE：绝缘栅双极型晶体管集电极和发射极之间的电压；LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥。

5基本参数

驱动器的基本参数应符合表1的要求。

表1基本参数

电压等级

绝缘耐压

最小电气间隙(mm)

最小爬电距离(mm)

基本绝缘

加强绝缘

基本绝缘

加强绝缘

1200V

3750VAC

5.5

8

5.5

8

1700V

5000VAC

8

16

8

16

环境条件为：

——工作温度：-40℃~85℃;

——相对湿度：5%RH～95%RH，无凝露。

6技术要求

6.1外观及装配6.1.1外观

外观应整洁、色泽均匀，无伤痕、划痕、锋棱、毛刺等缺陷；文字和标志应清晰、准确。6.1.2装配

元器件不应松动、形变、相碰。

6.2电气特征

6.2.1电源输入电流应符合表2的要求。

表2输入电源

项目

电压等级

特性值

3

静态电流，A

1200V

0.15～＜0.55

1700V

0.15～＜0.55

电源电流，A

1200V

0.16～＜2

1700V

0.16～＜2

注：输入电压为15V条件测试。6.2.2电源监测

应符合表3的要求。

表3电源监测

项目

特性值

供电欠压阈值，V

12.5±0.5

6.2.3输入输出

应符合表4的要求。

表4输入输出特征

项目

电压等级

条件

特性值

PWM信号输入阻抗，kΩ

1200V

/

1～＜36

1700V

/