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一、引言
1.1研究背景与意义
在半导体物理的广袤领域中，窄禁带半导体凭借其独特的物理性质，占据着举足轻重的地位。按照固体的能带理论，半导体的价带与导带之间存在一个禁带，一般把禁带小于载流子室温热能(kT)的十倍，即小于0.26eV的半导体通称为窄禁带半导体。这类半导体的禁带宽度较窄，使得导带与价带的相互影响更为显著，从而呈现出一系列区别于常规半导体的特性。
自20世纪40年代起，窄禁带半导体就吸引了科研人员的目光，开启了探索之旅。1952年H.韦尔克发现InSb，这一典型的窄禁带半导体，为后续研究奠定了基础。1957年E.O.凯恩的理论则成功阐明了特定类型窄
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