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《机车电力电子技术》;第一章不可控整流技术;1.1电力二极管;电力二极管的基本结构和原理与信息电子电路中的二极管一样,都是以半导体PN结为基础,都由P区、N区和中间的空间电荷区(也称为势垒区、阻挡层或耗尽层)组成,如图1-1(a)所示。但不同的是电力二极管的PN结面积较大,其电压、电流等级都比较高,通常分为螺栓型(图1-1(b))和平板型(图1-1(c)),电气图形符号见图1-1(d)。电力二极管从P区引出阳极A,N区引出阴极K。;PN结具有单向导电性;电力二极管和信息电子电路二极管的不同点;电容效应和电导调制效应;1.1.2电力二极管的基本特性;2.动态特性;1.1.3电力二极管的主要参数
;1.2单相不可控整流电路;1.2.1单相半波不可控整流电路;工作原理;1.2.2单相桥式不可控整流电路;?;?;1.3三相不可控整流电路;1.3.1三相半波不可控整流电路;基本电量计算如下:
;2.三相半波共阳极不可控整流电路;1.3.2三相桥式不可控整流电路;基本电量计算如下:;1.4电传动内燃机车牵引整流柜;如图1-12所示为牵引整流柜三相桥式整流电路图。柜上部两侧各安装2个桥臂,下部两侧各安装1个桥臂。每一整流桥臂由4个整流元件并联组成。主硅整流柜共有24个硅整流元件,元件为ZP2000/28型风冷平板二极管。;牵引整流柜型号及技术参数;?;第二章相控整流技术;2.1晶闸管;晶闸管的结构;晶闸管导通原理;晶闸管工作特点:;2.1.2晶闸管的基本特性;2.晶闸管的门极伏安特性;3.晶闸管的动态特性;2.1.3晶闸管的主要参数;?;2.2单相可控整流电路;相控整流电路常用术语;2.带阻感性负载的工作情况;为了不使输出直流电压平均值下降,在整流电路的负载两端并联一个二极管,称为续流二极管;2.2.2单相桥式全控整流电路;1.电阻性负载单相桥式全控整流电路;电阻性负载基本电量计算公式;2.阻感性负载单相桥式全控整流电路;阻感性负载基本电量计算如下:;3.反电势(R-E)负载及(R-L-E)负载单相桥式全控整流电路;R-E负载基本主要电量计算如下:;2.2.3单相桥式半控整流电路;“失控”问题的解决;“失控”问题的解决;2.2.4单相全波可控整流电路;?;2.3三相可控整流电路;电阻性负载分析;?;2.阻感性负载;;三相半波可控整流??路阻感性负载基本电量计算;2.3.2三相半波共阳极可控整流电路;2.3.2三相半波共阳极可控整流电路;2.3.3三相桥式可控整流电路;本课件是可编辑的正常PPT课件;;本课件是可编辑的正常PPT课件;三相桥式可控整流电路基本电量计算;2.3.4三相桥式半控整流电路;2.4整流电路滤波;2.4.1电容C滤波电路;2.4.2电感L滤波电路;2.4.3L-C滤波电路;2.5晶闸管触发电路;2.5.2单结晶体管触发电路;单结晶体管特性;?;;2.6SS4G型电力机车整流柜及DC600V列车供电柜原理;2.6.2DC600V列车供电柜;第三章全控型电力电子器件;3.1门极可关断晶闸管;3.1.1GTO的结构与工作原理;GTO与SCR不同的是,GTO在门极加一个合适的反向电流后可以关断;3.1.2GTO的基本特性;3.1.3GTO的主要参数;3.2电力晶体管;3.2.1GTR的结构;GTR的工作原理;3.2.2GTR的基本特性;3.2.3GTR的主要参数;3.3电力场效应晶体管;3.3.1电力MOSFET的结构和工作原理;3.3.1电力MOSFET的结构和工作原理;;电力MOSFET工作原理;电力MOSFET的结构特点;3.3.2电力MOSFET的基本特性;3.3.2电力MOSFET的基本特性;3.3.3MOSFET主要参数;3.4绝缘栅双极型晶体管;3.4.1IGBT的结构和工作原理;3.4.1IGBT的结构和工作原理;3.4.1IGBT的结构和工作原理;IGBT工作原理;3.4.2IGBT的基本特性;2.动态特性;3.4.3IGBT的擎住效应与安全工作区;2.动态擎住效应;3.IGBT的安全工作区;;3.4.4IGBT主要参数;3.4.5IGBT的门极驱动电路;3.4.5IGBT的门极驱动电路;3.4.5IGBT的门极驱动电路;3.4.6IGBT的保护电路;常用的几种缓冲电路;第四章直直变换技术;4.1.1脉冲宽度调制的基本原理;4.1.1脉冲宽度调制的基本原理;4.1.1脉冲宽度调制的基本原理;PWM控制原理;4.1.2直直变换器的控制方式;4.1.3电感的伏秒平衡原理与电容的安秒平衡原理;4.1.3电感的伏秒平衡原理与电容的安秒平衡原理;4.2基本斩波电路
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