DB52T 861-2013 2CB003 型硅雪崩整流二极管详细规范.docx

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DB52

贵州省地方标准DB52/T861—2013

2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范

Detailspecificationforsiliconavalancherectifierdiodeoftype2CB003

2013-12-06发布2014-02-01实施

贵州省质量技术监督局发布

I

DB52/T861—2013

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语、符号及型号命名 1

4技术要求 1

5质量一致性检验 3

6标志 9

7订货资料 10

8包装、贮存和运输 10

9使用要求 10

附录A（规范性附录）反向不重复流通电流IRSM测试方法 12

II

DB52/T861—2013

前言

本标准按GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意；本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。本标准由贵州质量技术监督局归口。

本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。

本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、袁锟、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、雍萍。

本标准附录A是规范性附录。本标准首次发布。

1

DB52/T861—2013

2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范

1范围

本标准规定了2CB003型硅雪崩整流二极管（以下简称器件）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。

本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T249半导体分立器件型号命名方法

GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验第2部分：试验方法试验Cab:恒定湿

GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范

GB/T4937.1半导器体器件机械和气候试验方法第1部分：总则

GB/T4937.2半导器体器件机械和气候试验方法第2部分：低气压

GB/T4937.3半导器体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检

GB/T4937.4半导器体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态温热试验（HAST）GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

GB/T7581半导体分立器件外形尺寸GB/T11499半导体分立器件文字符号

GB/T12560半导体器件分立器件分规范

3术语、符号及型号命名

3.1

GB/T11499中的术语和符号适用于本文件。3.2

本标准中的型号命名是按GB/T249中的规定。

4技术要求

4.1封装外形

2CB003型硅雪崩整流二极管采用GB/T7581中的C1-01C(DO-5)型金属封装（见图1）。

2

DB52/T861—2013

4.2质量评定类别

质量评定类别：国标Ⅱ类。4.3最大额定值和主要电特性4.3.1最大额定值

最大额定值见表1。

C1-01C(DO-5)

min

nom

max

A

-

-

12.70

ΦD

-

-

20.16

ΦD1

-

-

16.94

ΦD2

-

-

13.50

E

-

17.00

-

F

2.93

-

5.08

J

-

-

25.40

ΦM

-

-

＜M6外径

N

10.72

-

12.70

N1

-

-

2.26

ΦT

3.56

-

4.40

W

-

M6

-

H

2.20

-

3.00

图1外形尺寸

表1最大额定值

参数

VRWM

IOa

TC≤25℃

IFSM

TA=25℃tW=10ms

IRSM

TA=25℃tW=10ms

TOP

Tstg

型号

V

A

A

A

℃

℃

2CB003

16

70

490

75

-55～25

-55～50

注：当TC≥25℃时，按0.56A/℃的速率线性降额。

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