电子行业存储芯片周度跟踪：西部数据减少NAND供应，存储市场或于Q2复苏.docx

正文目录

存储芯片周度价格跟踪 3

行业新闻 4

公司动态 6

公司公告 7

风险提示 8

图目录

图1:NAND中大容量现货价格（美元） 3

图2:NAND中小容量现货价格（美元） 3

图3:NANDWafer中大容量现货价格（美元） 3

图4:NANDWafer中小容量现货价格（美元） 3

图5:DRAM中大容量现货价格（美元） 3

图6:DRAM中小容量现货价格（美元） 3

表目录

表1:存储行业本周重点公告（2025.02.05-02.07） 7

存储芯片周度价格跟踪

图1:NAND中大容量现货价格（美元） 图2:NAND中小容量现货价格（美元）

现货平均价:Flash:MLC256Gb32GBx8

现货平均价:Flash:SLC16Gb2GBx8

2.50

14.0012.00

14.00

12.00

10.00

8.00

6.00

4.00

2.00

0.00

1.50

现货平均价:Flash:MLC32Gb4GBx8

现货平均价:Flash:SLC1Gb128MBx8

现货平均价:Flash:SLC1Gb128MBx8

0.50

2022/22022/4

2022/2

2022/4

2022/6

2022/8

2022/10

2022/12

2023/2

2023/4

2023/6

2023/8

2023/10

2023/12

2024/2

2024/4

2024/6

2024/8

2024/10

2024/12

Find，甬兴证券研究所 Find，甬兴证券研究所

图3:NANDWafer中大容量现货价格（美元） 图4:NANDWafer中小容量现货价格（美元）

现货平均价:Wafer:256GbTLC2.50

现货平均价:Wafer:256GbTLC

2.50

现货平均价:Wafer:128GbTLC

2.00

1.50

1.00

0.50

0.00

8.00

8.00

7.00

6.00

5.00

4.00

3.00

2.00

1.00

0.00

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图5:DRAM中大容量现货价格（美元） 图6:DRAM中小容量现货价格（美元）

现货平均价:DRAM:DDR416Gb(1Gx16)3200

现货平均价:DRAM:DDR516G(2Gx8)4800/5600

现货平均价:DRAM:DDR34Gb512Mx81600MHz

现货平均价:DRAM:DDR44Gb(512Mx8)2400/2666

6.005.004.00

6.00

5.00

4.00

3.00

2.00

1.00

0.00

1.40

1.20

1.00

0.80

0.60

0.40

0.20

0.00

Find，甬兴证券研究所 Find，甬兴证券研究所

行业新闻

三星电子：2025年HBMbit供应量将扩大到2024年两倍

2月5日，根据CFM闪存市场报道，三星电子预计2025第一季度HBM销售将受到暂时限制，这不仅是因为出口管制带来的影响，还因为在三星电子宣布产品优化计划后，其主要客户选择等待增强型HBM3E产品，这可能导致HBM需求出现暂时性缺口；预计第二季度客户需求将从8层堆叠过渡到12层堆叠。对于16层堆叠HBM3E，虽然三星电子预计客户目前还不会有任何商业需求，但已生产并送样给主要客户进行技术验证。另外，基于1c纳米工艺的HBM4项目按原计划进行开发，目标是在2025年下半年实现量产；而对于基于HBM4和HBM4E解决方案的定制HBM项目，目前也正在按计划与客户就技术进行讨论。

CFM闪存市场）

西部数据：今年逐步减少NAND市场供应3月底前完成分拆

2月6日，根据科创板日报报道，西部数据公布2025财年第二财季

（2024年10-12月）业绩，季度营收42.85亿美元，环比增长5%，同比增长41%；净利润6.47亿美元，环比微幅减少0.15%，同比扭亏为盈。对于NAND，西部数据预计收入将环比下降15%左右，预计2025年逐步减少市场供应。西部数据表示，在该财季已顺利完成分拆所需的必要关键融资活动，目前处于闪存业务和HDD业务分拆的最后阶段，将按计划于第三财季（2025年1-3月）末结束。

科创板日报）

铠侠宣布开源AiSAQ技术可降低生成式AI系统中的DRAM需求

2月6日，根据CFM闪存市场报道，铠侠近日宣布开源其全新全存储ANNS产品量化(AiSAQ)技术，这是一种针对SSD