网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

TNXCL-300 mm极低氧含量硅单晶抛光片.pdf

  1. 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

ICS

CCS

NXCL

宁夏材料研究学会团体标准

T/NXCLXXXX—2023

300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片

300mmextremelylowoxygencontentsinglecrystalineCzochralskisiliconpolished

wafers

(征求意见稿)

在提交反馈意见时,请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

宁夏材料研究学会  发布

T/NXCLXXXX—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由宁夏材料研究学会提出。

本文件由宁夏材料研究学会归口。

本文件起草单位:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有

限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。

本文件主要起草人:王黎光、商润龙、芮阳、杨少林、陈亚、蔡润、赵泽慧、赵延祥、曹启刚、王

忠保、熊欢、魏兴彤、王云峰、李长苏、顾燕滨、盛之林、黄柳青、盛旺。

I

T/NXCLXXXX—2023

300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片

1范围

本文件规定了300mm极低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方

法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺等方面的内容。

本文件适用于直径300mm极低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片,

产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件技术需求的衬底片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,

仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本

文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分:按接受质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法

GB/T14140硅片直径测量法方法

GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T29

文档评论(0)

睿智的P社玩家 + 10 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档