精品第四章-半导体电路.docVIP

第四章半导体电路

第一节半导体导电特性及其PN结的单向导电性

0579半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是_______。

A．具有放大特性B．具有单向导电性

C．具有改变电压特性D．具有增强内电场特性

0580关于P型半导体的下列说法，错误的是_______。

A．空穴是多数载流子

B．在二极管中P型半导体一例接出引线后，是二极管的正极

C．在纯净的硅衬底上，分散五价元素，可形成P型半导体

D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

0581关于N型半导体的下列说法，正确的是_______。

A．只存在一种载流子：自由电子

B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

0582金属导体的电阻率随温度升高而_______；半导体的导电能力随温度升高而_______。

A．升高／升高B．降低／降低C．升高／降低D．降低／升高

0583对于半导体材料，若_______，导电能力减弱。

A．环境温度降低B．掺杂金属元素

C．增大环境光照强度D．掺杂非金属元素

0584关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是______。

A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子

B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质

C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质

D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质

0585如果将一个PN结的两端通过一电流表短路，回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时，电流表的读数______。

A．为零B．增大C．减小D．视光强而定

0586P型半导体中的多数载流子是______。

A．自由电子B．空穴C．束缚电子D．晶格上的离子

0587N型半导体中的多数载流子是______。

A．自由电子B．空穴C．束缚电子D．晶格上的离子

0588下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是______。

A．P端接十5V端通过一电阻接十7V

B．N端接十2V，P端通过一电阻接十7V

C．P端接一3V，N端通过一电阻接十7V

D．P端接十1V，N端通过一电阻接十6V

0589下列说法正确的是______。

A．P型半导体带正电

B．N型半导体带正电

C．PN结为电的中性体

D．PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生

0590在P型半导体中多数载流子是______，在N型半导体中多数载流子是______。

A．空穴／自由电子B．自由电子／空穴

C．空穴／共价键电子D．负离子／正离子

0591一般说来，本征半导体的导电能力_____，当掺入某些适当微量元素后其导电能力____。

A．很强／更强B．很强／降低C．很弱／提高D．很弱／更弱

0592若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。

A．PNP型半导体／NPN型半导体B．N型半导体／P型半导体

C．PN结／PN结D．P型半导体／N型半导体

0593下列描述中不属于本征半导体的基本特征是______。

A．温度提高导电能力提高B．有两种载流子

C．电阻率很小，接近金属导体D．参杂质后导电能力提高

第二节二极管、稳压管及其整流电路

0594整流电路的目的是______。

A．直流电变交流电B．电压放大

C．交流电变直流电D．功率放大

0595如图，单相半波整流电路中，为使电路可靠工作，正流二极管的反向耐压值必须大于_______。

A．负载电压平均值

B．整流变压器副边电压最大值

C．整流变压器副边电压有效值

D．整流变压器原边电压最大值

0596如图，单相桥式整流电路，整流电路输入的交流电压有效值为20V。如桥中有一只二极