网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

探秘GaN基激光器外延生长:技术、挑战与突破.docx

探秘GaN基激光器外延生长:技术、挑战与突破.docx

  1. 1、本文档共28页,其中可免费阅读9页,需付费200金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展,光电子领域在现代社会中扮演着愈发关键的角色,从日常的通信、显示到高端的科研、军事应用,光电子器件无处不在。在众多光电子器件中,GaN基激光器凭借其独特的优势,如宽禁带、高电子迁移率、耐高温、抗辐射等特性,成为了光电子领域的研究热点和关键发展方向。

在通信领域,随着5G乃至未来6G技术的推进,对高速、大容量的光通信需求急剧增长。GaN基激光器能够实现更高的调制频率和更短的波长,可有效提升光通信的传输速率和容量,满足日益增长的数据传输需求。例如,在光纤通信中,基于GaN基激光器的光发射模块可以实现更高速率的信号传输,减少信号延迟

您可能关注的文档

文档评论(0)

sheppha + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:5134022301000003

1亿VIP精品文档

相关文档