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新型二维半导体材料：物性调控与电学输运的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，半导体技术作为现代科技的核心支撑，始终处于不断演进的前沿。自半导体器件诞生以来，其性能的提升和尺寸的缩小遵循着摩尔定律，推动了电子设备的小型化、高性能化以及成本的降低。然而，当传统硅基半导体器件尺寸逐渐逼近物理极限时，诸如短沟道效应、量子隧穿效应等问题日益凸显，严重制约了器件性能的进一步提升，摩尔定律的延续面临着严峻挑战。

在这样的背景下，新型二维半导体材料应运而生，成为学术界和产业界关注的焦点。二维半导体材料是指原子在平面内呈周期性排列，且厚度在原子尺度量级（通常为单层或少数几层）的