电磁屏蔽典型应用.pptVIP

影响反射损耗的因素*R(dB)1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波fD=30m电场D=1mD=30m磁场D=1m电场反射损耗磁场反射损耗,当频率升高时，电场和磁场损耗趋向于一致，汇合在平面波的反射损耗数值上。距离电偶极源越近，则反射损耗越大（波阻抗越高）。磁偶极源，则正好相反。频率影响：频率升高时，电场的波阻抗变低，磁场波的波阻抗变高。同时屏蔽材料的阻抗发生变化（变大）。对于平面波，由于波阻抗一定（377?），因此随着频率升高，反射损耗降低。吸收损耗*剩余电磁波E2E2=E1e-t/?t材料越厚t，吸收损耗越大，每增加一个趋肤深度，吸收损耗增加约20dB；趋肤深度越小（磁导率、电导率和频率越高），吸收损耗越大。入射电磁波E1A＝20lg(E1/E2)=20lg(et/?)?＝3.34t?f?r?rdB0.37E0趋肤深度举例*相对（电导率，磁导率）：铜（1,1),铝（0.6,1),钢(0.16,200);吸收损耗与入射电磁场（波）的种类（波阻抗）无关。多次反射修正因子的计算*电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。B=20lg(1-e-2t/?)说明：B为负值，其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略对于电场波，可以忽略—对于电场波，反射损耗已很大了，进入屏蔽体的能量已经很小了，所以可以忽略。综合屏蔽效能(0.5mm铝板)*高频时电磁波种类的影响很小150250平面波000.1k1k10k100k1M10M电场D=0.5m磁场D=0.5m屏蔽效能（dB）频率低频：趋肤深度大，吸收损耗小，屏蔽决于反射损耗。电场电磁波磁场。高频：电场的反射损耗降低，磁场的反射损耗增加；频率升高，吸收损耗增加，频率高到一定程度时，屏蔽主要由吸收损耗决定。屏蔽的难度按电场波、平面波、磁场波的顺序依次增加。特别是频率较低的磁场，很难屏蔽。怎样屏蔽低频磁场？*低频磁场低频磁场吸收损耗小（趋肤深度大）反射损耗小(低阻抗）高导电材料高导磁材料高导电材料方法1：高导磁率材料的表面增加一层高导电率材料，增加电场波在屏蔽材料与空气界面上的反射损耗。方法2：低磁阻通路旁路。关键：采用高导磁率材料，减少磁阻。H1磁屏蔽材料的频率特性*151015坡莫合金?金属镍钢冷轧钢0.010.11.010100kHz?r103磁屏蔽材料手册上给出的导磁率数据大多是直流情况下的，随着频率增加，导磁率会下降，当频率大于时，导磁率更低。磁导率随场强的变化*磁场强度H磁通密度B饱和起始磁导率最大磁导率?=?B/?H一对矛盾：当要屏蔽的磁场很强时，即为了获得较高的屏蔽性能，需要使用导磁率较高的材料，但这种材料容易饱和。如用比较不容易饱和的材料，往往由于?=较低，屏蔽性能又达不到要求。强磁场的屏蔽*高导磁率材料：饱和低导磁率材料：屏效不够低导磁率材料高导磁率材料解决方法：采用双层屏蔽，先用不容易发生饱和的磁导率较低的材料将磁场衰减到一定程度，然后用高导磁率材料将磁场衰减到满足要求。成本高、实施困难。良好电磁屏蔽的关键因素*屏蔽体的导电连续屏蔽效能高的屏蔽体有无穿过屏你知道吗：不要忘记：蔽体的导体与屏蔽体接地与否无关选择适当的屏蔽材料屏蔽体的完整性（完整、封闭）+导电的连续性是屏蔽的关键实际屏蔽体的问题*实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯和电缆线、电源线等影响屏蔽效能的两个因素：屏蔽体的导电连续性和穿过屏蔽机箱的导线（危害更大＝辐射＋传导）。通风口显示窗键盘指示灯电缆插座调节旋钮电源线缝隙电缆线远场区孔洞的屏蔽效能*?llSE=100