电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻.pptVIP

涤纶薄膜电容耐压：400V容量：33X104μF误差：J为±5％表示容量为33X104μF误差为±5％耐压为400V涤纶薄膜电容器耐压为“2A”＝1.0×102=100V容量为“104”＝10×104pF误差为“J”＝±5％涤纶薄膜电容器涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。字母=数值A=1.0B=1.25C=1.6D=2.0E=2.5F=3.15G=4.0H=5.0J=6.3K=8.0Z=9.0例如：2A代表1.0*100=100V1J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V1K代表8.0*10=80V例3——数字表示法CL——涤纶薄膜电容容量为47n=47×103pF误差为J＝±5％耐压为63V三、识别电感器电感器实物及图形符号电感器的单位及符号电感器用L表示，单位为亨利，符号为H。常用单位还有毫亨（mH）、微亨（μH），换算关系：1H＝103mH=106μH。容量任务3认识二极管常用二极管实物及图形符号常用二极管实物展示二极管图形符号：文字符号：VD箭头方向表示二极管正向导通时电流的方向实物外形正负电极的识别二、二极管的导电特性实验观察二极管和导电特性VD正接时电路原理图VD正接时实物示意图2.VD反接时电路原理图VD反接时实物示意图为何不亮？？？1.正向偏置灯泡亮时，与电源正极靠近的就是二极管正极，与电源负极靠近的就是二极管负极，这叫给二极管加上了正向电压称为正向偏置（简称正偏）。此时二极管的正向电阻很小，如同开关闭合。2.反向偏置灯泡不亮时说明二极管两端加了反向电压，称为反向偏置（简称反偏），此时的反向电阻很大，二极管如同开关断开。结论二极管是有极性的器件，具有单向导电性，即加正向电压导通，加反向电压截止？？？三、二极管的结构与分类1.二极管的结构二极管是由半导体材料制成的，其核心是PN结。PN结具有单向导电性，这也是二极管的主要特性。它是由管芯（主要是PN结）正、负极（从P区和N区分别焊出两根金属引线），封装外壳组成。半导体材料制成的奥妙之处！！！PN结为何有单向导电性?

——认识半导体半导体的定义导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。它一般为四价元素,化学结构比较稳固，所以非常纯净的半导体，即本征半导体导电能力很差。但半导体的导电能力随着掺入杂质、温度和光照的不同而发生很大变化，具有掺杂性、光敏性、热敏性等导电性。电子技术中常用的半导体材料是硅和锗载流子：能够运载电荷的粒子称为载流子。半导体中的载流子有两种：自由电子：带负电荷空穴：带与自由电子等量的负电荷。特性：载流子在外电场作用下可以做定向移动，形成电流。只是本征半导体中的截流子很少，导电性能很差，为提高导电性能，需掺杂，形成杂质半导体。本征半导体导电示意图（2）杂质半导体及分类定义：掺杂后的半导体为杂质半导体。分类：按所掺入杂质类型不同，分为P型半导体和N型半导体。1）P型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的三价元素，就形成P型半导体（空穴型半导体）。其内部有两种运载电荷的粒子，即载流子,其中空穴是多数载流子（简称多子），自由电子是少数载流子（简称少子）。2）N型半导体：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的五价元素，就形成N型半导体（或电子型半导体）。其中自由电子是多数载流子（简称多子），空穴是少数载流子（简称少子）。PN结：定义：利用特殊的掺杂工艺，在一块晶片两边分别生成N型和P型半导体，两者的交界处就会出现一个特殊的接触面，称为PN结PN结的形成示意图PN结的特性PN结上加正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，这时外加电压产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，形成较大的扩散电流，即正向电流。这时PN结的正向电阻很低，处于正向导通状态。PN结加反向电压，即N区接电源正极，P区接电源负极，这时外电场与内电场方向一致，增强了内电场，使PN结的反向电阻大，处于反向截止状态。所以说PN结具有单向导电性。122.分类硅管锗管