ESD工作原理介绍.pptxVIP

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提纲ESD评价方式介绍ESD保护的基本概念常用的ESD器件介绍ESD保护网络介绍ESDchallengeCasestudy

ESD评估HBMMMHBMMMOkay+/-2kV+/-200VSafe+/-4kV+/-400VSuper+/-10kV+/-1kV

ESD评价方式-TLP(transmissionlinepulse)

TLP示意触发电压Triggervoltage:Vt1维持电压holdingvoltage:Vh二次击穿电压Secondbreakdownvoltage:Vt2

ESDwindowESDVt1deviceVt1ESDVhVDDESDVt2ESDVt1Howeverthisisnotalwaysright

ESD和snapbackSnapback：Ib变化Ib：雪崩击穿（电场）Ib：雪崩击穿（电流）阻断态：高电压，低电流雪崩击穿，导致大量空穴注入到基区，也就是Ib雪崩击穿不断注入空穴到基区，为了保持电中性，发射区发射电子，BJT开启

ESD？EOS？Latchup？Latchup！

ESD器件介绍Non-snapback型DiodeSnapback型MOSFET(BJT)SCRESD增强设计参数

ESD基本器件介绍-DiodeRonBV

Diode周长主导面积主导

ESD基本器件介绍-MOSFET(BJT)-GGNMOS

MOS

MOSinsilicidetechnology在silicide工艺中，无论DCG怎样拉大，所引入的电阻都不会很大SAB在silicide工艺中，要引入SAB层次增强ESD能力

MOS的触发结构CRMOS内部没有pickup

ESD基本器件介绍-SCR

调整SCR的触发电压

ESD网络

ESDchallengeVoltageovershootHoldingvoltage越高voltageshoot越高低压月高压最大的区别：低压对voltageovershoot耐受能力要强于高压栅氧的击穿需要时间

Case1-寄生导致的ESD失效ＮＭＯＳ１ＮＭＯＳ２ＤｒａｉｎＳｏｕｒｃｅ寄生ＢＪＴ

Case2-AW245selfprotection改善

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