场效应管(共65张PPT).pptx

第五章场效应管;G(栅极);;;第5页，共65页。;2、工作原理（以N沟道为例）;vDS=0V时;VDS=0时;vGSVp且vDS0、vGD=vGS-vDSVP时耗尽区的形状;vGSVp且vDS较大时vGDVP时耗尽区的形状;vGSVpvGD=VP时;vGSVpvGD=VP时;结论：

（1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流；

（2）输出电流id受vGS控制，故场效应管是一种电压控制器件；

（3）由于受电场梯度的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故总是沟道的上部先被夹断；;恒流区（饱和区）;;;;;(a)输出特性曲线(b)转移特性曲线;一、直流参数

(1)夹断电压VP：当栅源电压vGS=VP时，iD=0。

(2)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指的是对应vGS=0时的漏极电流。

(3)直流输入电阻RGS

RGS在106~109Ω之间。

通常认为RGS→∞。

;二、极限参数

场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下：

(1)最大漏源电压V(BR)DS。

(2)最大栅源电压V(BR)GS。

(3)最大功耗PDM：PDM=ID·VDS

;三、交流参数

1跨导gm;场效应管的零温度系数点;结型场效应管的缺点：;5.2绝缘栅场效应管(MOS管):;+++++;一、结构和电路符号;N沟道耗尽型;;P沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;;;;;三、增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;五、说明：

（1）MOS管由四种基本类型；

（2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似；

（3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成；

耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负；

（4）MOS管的输入阻抗特别高

（5）衡量场效应管的放大能力用跨导

单位：ms

;六、MOS管的有关问题;六、MOS管的有关问题;六、MOS管的有关问题;;各种场效应管的转移特性和输出特性对比

(b)输出特性;?;场效应管放大电路;1、自偏压电路;Q点：;;以自偏压电路为例;（1）根据VDD=Vds+ID（RD+RS）在输出特性上作直流负载线；

（2）作负载转移特性；

（3）作源极负载线；

（4）决定静态工作点；

（5）在转移特性和输??特性上求出Q;5.4.2场效应管的微变等效电路;;G;一、静态分析;夹断电压VP——指耗尽型的MOS管

画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。

跨导：反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，相当于转移特性中工作点处的斜率。

RGS在106~109Ω之间。

vGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。

结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。

夹断电压VP：iD接近于0时的栅源电压。

DS间相当于线性电阻。

CE/CB/CCCS/CG/CD

∴Av=Vo/Vi=gm

(1)场效应管放大器输入电阻很大。

CG：R//(1/gm)

RGS在106~109Ω之间。

漏端的沟道被夹断，称为予夹断。

VP=-1VIDSS

CE/CB/CCCS/CG/CD;VDD=20V;共漏极放大器——源极输出器;vo;输出电阻Ro;微变等效电路;CE/CB/CCCS/CG/CD;场效应管放大电路小结;在T1位置上画出合适的FET；

若T1的漏极电位VD=14V，其gm=3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？

若T2的β=50，VBE=0.6V，求T2的静态值IB、IC、VCE？

画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。