第1章 常用电子器件、常用仪表.ppt

BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：①U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。②U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。③U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。在实际使用时，还有U（BR）CER、U（BR）CES等击穿电压。--(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)EBOU（5）、反向击穿电压3、三极管参数(三)4、半导体三极管的型号第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3DG110B仙桃职业学院机械电子工程学院*晶体三极管分类图仙桃职业学院机械电子工程学院*5、种类、名称、型号和外形识别三极管的种类:仙桃职业学院机械电子工程学院*②F型:F型分为F-0、F-1……F-4共5种规格。仙桃职业学院机械电子工程学院*6.国产晶体管外形介绍（1）金属封装外形①B型仙桃职业学院机械电子工程学院*⑥G型仙桃职业学院机械电子工程学院*（2）塑料塑装外形①S-1型、S-2型、S-4型；②S-5型；③S-6A型、S-6B型、S-7型、S-8型。晶体三极管是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道FET分类：绝缘栅场效应管结型场效应管场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~iD)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。1.2.6、场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductorFET)，简称MOSFET。分为：增强型?N沟道、P沟道耗尽型?N沟道、P沟道N沟道增强型MOS管（1）结构4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B。符号：1.绝缘栅场效应三极管

当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。①栅源电压uGS的控制作用

（2）工作原理开启电压（UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。N沟道增强型MOS管的基本特性：uGS＜UT，管子截止，uGS＞UT，管子导通。uGS越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。定义：

②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V，uGS=4V）（a）uds=0时，id=0；（b）uds↑→id↑；同时沟道靠漏区变窄。（c）当uds增加到使ugd=UT时，沟道靠漏区夹断，称为预夹断；（d）uds再增加，预夹断区加长，uds增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上，id基本不变。仙桃职业学院机械电子工程学院*（8）电位器：电位器时一种连续可调的电阻器，其滑动臂（动接触点）的接触刷在电阻体上滑动，可获得与电位器可动臂转角成一定角度关系的电压。（7）磁敏电阻：磁敏电阻是利用磁电效应能改变电阻器的电阻值的原理制成的；仙桃职业学院机械电子工程学院*1.2.2、电容器1.电容器功能:用于稳定电压的电容即滤波电容；用于隔离直流的电容即隔直电容；与电阻或电感形成谐振的电容即谐振电容；用于交流通路的电容即耦合电容。仙桃职业学院机械电子工程学