平面锗硅纳米线：生长机制、组分调控及光电器件应用的深度探索.docx

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2025-02-26 发布于上海
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平面锗硅纳米线：生长机制、组分调控及光电器件应用的深度探索.docx

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平面锗硅纳米线：生长机制、组分调控及光电器件应用的深度探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域的发展进程中，材料的创新与性能优化始终是推动技术进步的核心要素。平面锗硅纳米线作为一种新型的半导体材料，凭借其独特的物理性质和结构特点，在近年来成为了研究的热点，展现出了巨大的应用潜力。

从材料特性来看，锗（Ge）和硅（Si）作为元素周期表中相邻的半导体元素，各自具有独特的物理性质。硅，作为当前半导体产业的基石，拥有成熟的制备工艺和广泛的应用基础，其稳定的化学性质和良好的电学性能使得它在大规模集成电路中占据主导地位。而锗，具有较高的载流子迁移率，电子和空穴在锗材料中的迁移速度比在硅中更快，