大面积碲化钼薄膜制备技术与电学性能调控的深度剖析.docx

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2025-02-28 发布于上海
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大面积碲化钼薄膜制备技术与电学性能调控的深度剖析.docx

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一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，新型半导体材料的研究与应用成为推动电子信息产业进步的关键力量。碲化钼（MoTe?）薄膜作为一种极具潜力的二维层状半导体材料，近年来在学术界和产业界引起了广泛关注，其在集成电路、自旋电子器件等众多领域展现出了令人瞩目的应用前景。

在集成电路领域，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统硅基半导体材料在进一步缩小器件尺寸、提高性能方面面临着诸多挑战。而碲化钼薄膜凭借其独特的原子结构和优异的电学性能，为解决这些问题提供了新的思路。其原子级厚度的二维结构能够有效抑制短沟道效应，使得在保持较高载流子迁移率的同时，实现器件尺寸的进一步缩小，有望为