T_CPIA-《晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法 传输线模型法（TLM）》.docx

ICS27.160

CCSF12

团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法传输线模型法（TLM）

Testmethodforcontactresistivityofcrystallinesiliconphotovoltaiccellmetalelectrodetransferlengthmethod（TLM）

（报批稿）

FORMDROPDOWN

202X-XX-XX发布

202X-XX-XX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

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目次

TOC\o1-1\h\z\u前言 I

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4方法原理 1

5要求 2

6样品制备 2

7测试步骤 3

8报告 4

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前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人:

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晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测试方法传输线模型法（TLM）

范围

本文件规定了用传输线模型法（TLM）测试晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率的测试方法，包含方法原理、要求、样品制备、测试步骤、数据处理和报告。

本文件适用于在暗室环境下晶体硅光伏电池金属电极接触电阻率测量。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T14264半导体材料术语

术语和定义

GB/T2297和GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

方法原理

在硅片样品上印刷、烧结间距相同的6根矩形栅线如图1所示，分别以栅线1到栅线2、栅线3、栅线4、栅线5和栅线6的间距作为横坐标，用微欧计测量的电阻值RT为纵坐标，RT组成如公式（1）所示。对栅线间距和RT进行曲线拟合得到栅线与硅片的接触电阻、有效电流传输距离。再结合栅线长度根据公式（2）计算接触电阻率。

栅线1

栅线1栅线2栅线3栅线4栅线5栅线6

光伏样品

栅线

探针

图1测试原理示意图

（1）

式中：

RT——测量的每两根栅线间总的电阻，单位为欧姆（Ω）；

RC——金属栅线和半导体的接触电阻，单位为欧姆（Ω）；

RS——半导体电阻，单位为欧姆（Ω）；

Rm——金属栅线的电阻，单位为欧姆（Ω）。

ρc=LT

式中：

ρc ——金属栅线和半导体接触电阻率，单位为毫欧·平方厘米（mΩ·cm2）；

W ——栅线长度，单位为毫米（mm）；

LT——有效电流传输距离，单位为微米（μm）。

要求

微欧计

测量精度：1mΩ。

测量环境条件

温度:23℃±1℃；湿度:60%±20%；暗室环境。

样品制备

制备表面方阻均匀一致的硅片样品，片内方阻均匀性应满足Wt≤5%，均匀性按公式（3）进行计算：

Wt=R□

式中：

Wt——片内方阻均匀性，百分比值；

R□Max——片内方阻最大值，单位为欧姆/方块（Ω/□）；

R￡Min——片内方阻最小值，单位为欧姆/方块（Ω/□）；

SE电池需要轻掺区和重掺区同时满足方阻均匀性的要求。

在硅片样品表面印刷6根矩形宽度为d（d≥15μm）的栅线，每两根栅线间距为L（1mm≤L≤2mm），烧结成电池样品，记录烧结温度，烧结后电池样品栅线无断栅。

用激光在电池样品背面沿细栅线垂直方向切割为长条状，栅线两端与硅片边缘距离为0，样品宽度为W（10mm≤W≤15mm）。如图2所示。

WL5L4L3L

W

L5

L4

L3

L2

L1

栅线1栅线2栅线3栅线4栅线5栅线6

图2电池样品示意图

测试步骤

将样品放置在绝缘台面上开始测试，测试探针规格为直径1mm平头探针，样品如图2所示