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硬件重子雷路基磁

IW於本^程

第一章半醇醴器件

半―醴基够知

§1-2PN结

/-3二撷管

「-4品♦三趣管

61-5埸施铲

第二章根本放大五谿

§2・1一般三趣管根本放大甯花

§2-2反^放大器G根本概念

§2-3频率特性G分析法

§2-4小信虢逗频放大甯路

§2・5埸鹰管放大霜路

第三章模^集成重路

§3—1恒流源霍:路

§3-2差勤放大重路

§3—3集成逋算放大甯路

§3—4集成逋放G鹰用

§3—5一幅器（二趣管接於逆放翰入重路中蜜限幅器）

§3—6模搦乘屈

第四章功率放大甯路

§41功率放大雷路内主要特钻

§4—2乙^功率放大甯路

§4-3闪^功率放大甯路

§4一4丙振倍频甯路

第五章正弦波振蔼器

§5—1反^型正弦波振薄器G工作原理

§5-2LC正弦波振藻甯路

§5—3LC振藻器O频率穗比展

§5—4石英晶醴振藻器

§5-5RC正弦波振薄器

第六章^性频率燮换——振幅调制、检波、燮频

§6—1♦幅波G根本特性

§6—2♦幅甯路

§6—3横波雷路

§6-4燮步直

第七章车^性频率建换一角度调制舆解

47二1概述

§7—2调角信嬲分析

飞7—3及调相信虢（D羟生

§7—4频率解调内根本原理和方法

第八章反^控制甯路

§8—1自勤增益控制A（GC）

§8—2自勤频率控制A（FC）

§8—3自勤相位控制A（PC）PLL

第一章半醇醴器件

§1-1半醇髓基磁知

§1・2PN结

§1-3二趣管

§14晶髓三趣管

§L5埸16管

§1-1半醇髓基磁知

一、什麽是半蹲醴

半醇艘就是醇甯能力介於醇糙和艘之冏勿物醇〔甯能力即甯醇率）

如（：矽Si鳍Ge等+4^元素以及化合物）

二、半醇髓G醇重特性

本征半拳鹘一一.W，晶鹊结横完整内半峥鹘耦卷本征半醇鹘。

矽和金者0）共^^制。略［）

1、半厚髓D（厚重率畲在外界因素作用下彝生建化

»雄管子

温度