T_CPIA-《铸造单晶硅材料性能评价技术规范(1)》.docx

Q/LB.□XXXXX-XXXX

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ICS

27.160

CCS

H82

团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

FORMTEXT?????

FORMTEXT铸造单晶硅材料性能评价技术规范

FORMTEXTTechnicalspecificationforperformanceevaluationofCASTmonocrystallinesilicon

（报批稿）FORMDROPDOWN

FORMTEXT?????

FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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目次

TOC\o1-1\h\t标准文件_一级条标题,2,标准文件_附录一级条标题,2,TOC\o1-1\h\t标准文件_一级条标题,2,标准文件_附录一级条标题,2,前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4技术要求 1

4.1外观质量 1

4.2电学性能 1

4.3间隙氧含量和代位碳含量 1

4.4位错缺陷 2

4.5单晶面积比例 2

5检验方法 2

5.1外观质量的检验 2

5.2电学性能的检验 2

5.3间隙氧含量和代位碳含量的检验 2

5.4位错缺陷的检验 2

5.5单晶面积比例的检验 2

6检验规则 2

6.1检查和验收 2

6.2组批 2

6.3检验项目 2

6.4取样规则 2

6.5结果判定 3

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件中国光伏行业协会标准化技术委员会提出。

本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：。

本文件主要起草人：。

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铸造单晶硅材料性能评价技术规范

范围

本文件规定了铸造单晶硅材料的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则。

本文件适用于铸造单晶硅锭开方后的硅块的性能评价。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551—2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1557—2018硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558—2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T14264半导体材料术语

GB/T26068—2018硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

GB/T29054—2019太阳能电池用铸造多晶硅块

术语和定义

GB/T2297和GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

铸造单晶硅Castingmonocrystallinesilicon

引入单晶籽晶，以定向凝固法生长形成的单晶硅。

技术要求

外观质量

硅块应无目视可见的裂纹、崩边、缺口。

硅块磨面后的红外探伤检测结果应无微晶、无阴影、无夹杂，每个硅块应测量4个侧面。

硅块侧面的表面粗糙度Ra应不大于0.2μm。

硅块的垂直度应为90o±0.15o。

电学性能

硅块导电类型为P/N型。

P型硅块电阻率为0.5Ω·cm～1.5Ω·cm，N型硅块电阻率0.3Ω·cm～7Ω·cm。