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第六章光刻工艺（Photolithography)
第六章光刻工艺（Photolithography)
原理和工艺
第六章光刻工艺
n引言（基本概念）
n光刻胶的化学性质与作用
n光学光刻
n光学光刻的限制及技术展望
第一节引言---集成电路中的图形
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集成电路发展趋势
特征尺寸不断缩小硅圆片直径不断增大提高电路性能降低生产成本
引言---基本概念（1）
n光刻Lithography：用照相复印的方法将光刻版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂。
n光刻版PhotoMask：带有电路图形信息的、有选择区域
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