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芯片光刻胶封装材料行业发展前景与市场预测
引言
芯片制造的工艺节点持续缩小是行业发展的核心驱动力。从28纳米到14纳米，再到7纳米、5纳米，甚至更小节点的出现，推动了光刻胶技术的不断演进。特别是极紫外光（EUV）技术的逐步成熟，使得对光刻胶材料的要求愈加苛刻，不仅要满足更高的分辨率，还需要具备更好的化学性能和稳定性。因此，芯片光刻胶封装材料在技术研发方面的投入显著增加，逐步向更高精度、更高效率的方向迈进。
随着半导体工艺向更高精度、更小尺寸的方向发展，光刻胶封装材料的技术也在不断进步。从传统的深紫外光刻胶（DUV）到极紫外光刻胶（EUV），光刻胶材料的技术创
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