T_CPIA-《铸造单晶硅材料性能评价技术规范》.docx

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ICS

FORMTEXT27.160

CCS

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团体标准

T/FORMTEXTCPIAFORMTEXTXXXX—FORMTEXTXXXX

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FORMTEXT铸造单晶硅材料性能评价技术规范

FORMTEXTTechnicalSpecificationforperformanceevaluationofCASTmonocrystallinesilicon

FORMDROPDOWN

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FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

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目次

TOC\o1-1\h\t标准文件_一级条标题,2,标准文件_附录一级条标题,2,25908前言 II

157101范围 1

133402规范性引用文件 1

276163术语和定义 1

254764技术要求 1

17844.1外观质量 1

20294.2电学性能 1

255504.3间隙氧含量和代位氧含量 2

45764.4位错缺陷 2

268134.5单晶面积比例 2

36735检验方法 2

303665.1外观质量检验 2

275065.2电学性能检验 2

64595.3间隙氧含量和代位氧含量的检验 2

275215.4位错缺陷的检验 2

83195.5单晶面积比例的检验 2

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前言

本规范是根据GB/T1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的要求进行编写的。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会提出并归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

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铸造单晶硅材料性能评价技术规范

范围

本文件规定了铸造单晶硅材料的术语和定义、技术指标、检验方法。

本文件适用于铸造单晶硅锭开方后的硅块、切片后的硅片的性能评价。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551—2021硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1557—2018硅晶体中间隙间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558—2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T14626半导体材料术语

GB/T25076—2018太阳能电池用单晶硅

GB/T26068—2018硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

GB/T29054—2019太阳能电池用铸造多晶硅块

GB/T29055—2019太阳能电池用多晶硅片

GB/T30859—2014太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法

GB/T30860—2014太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法

GB/T32281—2015太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法

GB/T32651—2016采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

术语和定义

GB/T2297和GB/T14626界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

铸造单晶硅castingmonocrystallinesilicon

利用