寄存器与存储器.pptVIP

分频器的输出波形：小结:74LS138译码器地址输入端A2A1A0（CBA）的取值，决定了分频比，将CBA代表的二进制数转换成十进制数再加1，即为分频系数。思考：若ABC=000,001、---111分别是多少分频器？4分频波形6.4、6.5、6.6作业题8.2存储器8.2.1存储器的概述半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。穿孔卡片磁芯存储器半导体存储器纸带１．存储器：用于长期存储大量数据、资料及运算程序等二进信息的单元。２．发展：寄存器与存储器的区别：寄存器：用于暂时存储二进制数据或代码的电路。存储器：用于长期存储大量二进数据或代码的电路。集成很高。３．存储器的分类：按照内部信息的存取方式可分为：随机存取存储器RAM：存放临时性的数据或中间结果。只读存储器ROM：存放永久性的、不变的数据。静态存储器（SRAM）动态存储器（DRAM）?随机存取存储器RAM按硬件结构可分为：?只读存储器ROM按数据输入方式可分为：掩膜式存储器（ROM）可编程存储器（PROM）可擦除存储器（EPROM）存储单元：存储一位二进制数的最小电路；字：构成二进制信息的最小集合（1、2、4、8、16）；存储容量：存储二进制数的总量，单位：K（210=1024）。基本概念：一、组成：存储矩阵（n行m列）行列地址译码电路片选和读写控制电路8.2.2随机存取存储器RAMRAM：可以在任意时刻，对任意选中的存储单元进行信息的存入（写）或取出（读）的信息操作。分类：根据内容结构不同可分为：SRAM（静态随机存取）、DRAM（动态随机存取）。优点：读写方便，使用灵活。缺点：掉电丢失信息。选中存储信息工作过程：当给定行和列的地址时，行和列的地址译码器分别选中相应的行线和列线，这两种输出线（行与列）的交点处的存储单元便被选中（注：选中的存储器可能是一位也可能是多位）。如果此时读写控制电路有相应的有效信号，则实现对选中存储单元的信息进行读写操作。二、各组成的结构与工作原理1.存储矩阵用于存储信息的主体电路。它由若干存储单元以矩阵的形式构成。有若干行和若干列。如：存储容量为256X4=1K的存储器，它由1024个存储单元以32行和32列矩阵的形式构成的。它的一个字由4位二进制数组成。第二步：进行读写操作列线行线字当给定行和列的地址时，行和列的地址译码器分别选中相应的行线和列线，这两种输出线（行与列）的交点处的存储单元便被选中（注：选中的存储器可能是一位也可能是多位）。存储器信息（字）位置的确定：32行×32列矩阵存储器容量：（字数）×（位数）=256×4字数：32X8=25632根行线8根列线字存储器有32条行线、8条列线；存储器的容量计算：该RAM存储矩阵共需要32根行选择线X0~X31和8根列选择线Y0~Y7。2．RAM的存储单元按结构不同可分为:静态存储单元SRAM、动态存储单元DRAM利用CMOS构成的基本RS触发器来存储信息。保存的信息不易丢失，可长期保存。典型的SRAM的存储单元需要六个晶体管（三极管）构成。用于小容量、高速存储器。利用MOS管的栅极电容C存储电荷来储存信息，电容是会漏电的，所以必须通过不停的给电容充电来维持信息，这个充电的过程叫再生或刷新（REFRESH）。由于电容的充放电是需要静态存储单元(SRAM)动态存储单元（DRAM）相对较长的时间的，DRAM的速度要慢于SRAM。DRAM的一个存储单元只需要一个晶体管和一个电容。因此，DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。3．地址译码电路地址号：存放在同一个字中的存储单元编为一组所赋予的号码。每个字赋予一个地址号，地址号的位数n应满足：2n=256（字数）。地址号由行地址码与列地址码两部分组成。行地址加列地址共8位二进数A0~A7，可对256个字单元进行编码，这样每个字就有一个地址号了。此存储矩阵有行32个，可用5位二进数进行编码，行地址码A0~A4从00000~11111。此存储器有列8个，可用3位进制数进行编码，列地址码A5~A7从000~111。思考：地址号为数据位置。多少行？多少列？100列地址码地址号地址译码电路：用于将地址号