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Ge-Sb-Se-Te相变薄膜的制备及其掺杂改性研究.pdf

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Ge-Sb-Se-Te相变薄膜的制备及其掺杂改性研究中文摘要

Ge-Sb-Se-Te相变薄膜的制备及其掺杂改性研究

中文摘要

相变材料可以在不同相态间进行快速可逆转变,相变的过程常常伴随着光学和电

学性质的显著变化。硫系化合物相变材料具有相变的可逆性和非易失性特点,在相变

存储、光通信等领域得到了广泛的应用研究。然而硫化物相变材料在光通讯波段通常

表现出高吸收的特性,这限制了集成硫系相变薄膜光子学器件的发

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