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第3章晶体三极管及其放大电路;
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;晶体管有三个电极,在放大电路中可以有三种连接方法,分别是共发射极(简称共射极)、共基极和共集电极接法,即分别把发射极、基极、集电极作为输人和输出回路的共同端的连接方法,如图3.1.6所示。应当指出,发射结正偏、集电结反偏是晶体管内部载流子的传输、电流分配的外部必要条件。若晶体管具有放大作用,无论是哪种连接方法,都必须使发射结正偏、集电结反偏。;
;定义共基极直流电流放大系数;
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;●当vCE≥1V时,vCB=vCE-vBE0,集电结进入反偏状态,开始收
集电子,基区复合减少,同样的vBE下IB减小,特性曲线右移。;
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;图3.1.13的求取;图3.1.15ICBO的测量;2.晶体管的交流参数;特征频率fT
当信号频率高到一定程度时,β会下降。β下降到
1时所对应的信号频率称为晶体管的特征频率。;
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;3)集电极的判别及β值测量;放大是最基本的模拟信号处理功能,它是通过放大电路将电信号放大(增强)到所需的幅度来实现的。放大电路是构成其他模拟电路的基本单元和基础,也是模拟电子技术课程研究的主要内容。;图3.2.3电压放大器模型;图3.2.4电流放大器模型;输出信号由受控制电压源Aroii产生。Aro为互阻放大器在负载电阻RL开路时的互阻增益。;受控电流源Agsvi产生输出信号。Ags为互导放大器在输出端短路时的互导增益。;
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;能够向负载提供的最大输出功率,通常用符号Pom表示。;晶体管的重要特性之一是以小的基极电流iB控制较大的集电极电流iC,即具有电流放大作用。利用这一特性可以组成各种放大电路。单管放大电路是复杂放大电路的基本单元。;
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;静态工作点的计算步骤:;例3.3.1设图3.3.1所示电路中的VBB=2V,VCC=6V,Rb=110kΩ,Rc=3.3kΩ,β=80,VBEQ=0.7V。
试求该电路中的电流IBQ、ICQ、电压VCEQ,并说明晶体管的工作状态。;图3.3.3共发射极基本放大电路的波形分析;;3.3.3放大电路的组成原则;;图3.3.7阻容耦合共射放大电路;;3.4.1图解分析法
3.4.2小信号模型分析法;;图3.4.3输入回路中vi、vBE、vbe、iB、ib的波形;图3.4.5输出回路中ic、iC、vCE、vce的波形;图3.4.6共发射极放大电路的截止失真;例3.4.1阻容耦合共发射极放大电路及晶体管输出特性,如图3.4.8所示,设VBE=0.7V。
(1)画出该电路的直流通路与交流通路。
(2)估算静态电流IBQ,并用图解法确定直流工作点ICQ,VCEQ。
(3)当输入信号使ib=10sinωtμA时,试确定输出电压vo的大小。
(4)若设VCES=0.7V,试确定放大器最大不失真输出电压峰-峰值范围VOPP。当Rc、RL不变时,为使输出动态范围最大,则Rb=?;图3.4.9例3.4.1所示电路的直流通路和交流通路;分析失真情况
vo的幅值为3V,当输入信号再增大时,将先出现截
止失真。但负半周幅值要达到5.3V时才会出现饱和失
真,不对称。为使输出电压动态范围达到最大,对应
的静态电流ICQM应满足如下关系:;;dvBE即可用vbe表示。同理,dvCE、diB、diC
分别用vce、ib、ic表示。;电流源hfeib是受ib控制的,ib=0时,hfeib就不存在,故称为受控电流源,它代表基极电流对集电极电流的控制作用。电流源的流向由ib的流向决定。;
;;图3.4.14小信号等效电路;;;例3.4.2电路如图3.4.16所示,设VCC=15V,Rb1=60kΩ、
Rb2=20kΩ、Rc=3kΩ、Re=2kΩ、Rs=600Ω,电容C1、C2
和Ce都足够大,β=60,VBE=0.7V,RL=3kΩ。试计算:
(1)电路的静态工作点;
电路的中频电压放大倍数Avo、Av输入电阻Ri和输出电
阻Ro;
(3)若信号源有Rs=600Ω的内阻,求源电压增益Avs=vo/vi。;;;;小信号模型分析法分析放大电路的动态性能指标(Av、Ri和Ro等)非常方便,计算结果误差也不大。在输入信号频率较高的情况下,晶体管的放大性能也仍然可以通过在其小信号模型中引入某些元件来反映。;;;;;为使电
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