电工电子产品制作与调试课件：OTL功率放大器的制作与调试.pptx

OTL功率放大器的制作与调试;项目描述;任务4.1常用半导体器件的识别与检测;【任务引入】;根据物体导电能力的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge等。

1.1.1半导体的特点

1）导电性能介于导体和绝缘体之间；

2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、热敏元件；

3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——掺杂性。;;;;掺杂半导体:

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。

掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

掺入的杂质主要是三价或五价元素。

;;N型半导体结构示意图;;P型半导体结构示意图;;;内电场方向;;1.空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。;PN结就是一个二极管。所以二极管也具有单向导电性。;二极管分类;二极管的识别;二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。;二极管的型号;反向特性;反向特性;半导体二极管的参数;二极管的等效模型;二极管应用等效模型：;例1：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。

(1)若Ui为4V的直流信号，分别采用二极管理想模型、实际模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，采用二极管理想模型和实际模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;;;1.稳压二极管;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数;稳压二极管的主要参数;稳压二极管应用等效模型：;2.发光二极管;（1）极性的判别

将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。;（2）单向导电性能的检测及好坏的判断

通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300M左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。;目测极性

判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。;目测（从外形上看）。金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。

;频率：;;三层半导体材料构成NPN型、PNP型;;结构特点：;晶体管的两种基本结构;;N;一、晶体管放大的条件;;;总结：

1.晶体管在发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件下具有电流放大作用。

2.晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控制作用。;一、输入特性;二、输出特性;;例一只在电路中正常工作于放大状态的晶体管，用万用表的直流电压挡测得三个电极对参考点的电位分别是：A=9V、B=8.8V、C=3.6V，判断这只晶体管是什么类型（PNP、NPN)?是硅管还是鍺管？三个极是什么电极？;1.性能参数;（3）集-基极反向截止电流ICBO;（5）集电极最大允许电流ICM;2.极限参数;三极管的基本组态和特性曲线;;测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。;测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。;学习与探讨;任务4.2基本放大电路的认识与运用;【任务引入】;共射极放大电路的组成和各元件的作用;基本放大电路又称作单管放大电路，它是构成复杂放大电路的基本单元。;基本放大电路的习惯画法;RB;;;RB;放大电路的分析方法;1.静态工作点——指无交流信号输入时，电路中的电流、电压都不变的状态。;由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，所以称为静态工作点。;;对交流信号(输入信号ui);交流通路;练习：画出直流通路和交流通路;直流通路：耦合电容可视为开路。;例：用估算法计算静态工作点。;2.用图解法分析放大器的静态工作点;图解步骤：

（1）用估算法求出

基极电流IBQ（如40μA）。