编制说明（征求意见稿）高密度异构集成芯片封装技术规范.docx

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《高密度异构集成芯片封装技术规范》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

（一）任务来源

本标准由中国联合国采购促进会提出并归口。本标准规定了高密度异构集成芯片封装技术的总体要求、封装准备、高密度异构集成、封装成型、质量验收、档案管理。本标准适用于高密度异构集成芯片的封装。

本标准UNSPSC代码为“32.10.16”，由3段组成。其中：第1段为大类，“32”表示“电子元件及用品”，第2段为中类，“10”表示“印刷电路、集成电路和微组件”，第3段为小类，“16”表示“集成电路”。

（二）起草单位情况

本标准起草单位包括：

（三）标准编制过程

（1）成立标准起草组，技术调研和资料收集

2025年1月20日—2025年1月29日，为保证制订工作的顺利开展、提高标准的质量和可用性，由起草单位和相关技术专家共同组建了标准起草组，负责《高密度异构集成芯片封装技术规范》标准的编制。通过制订工作方案，标准起草组进一步明确了目标要求、工作思路、人员分工和工作进度等。

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标准起草组对相关指标和要求进行了调研，搜集了众多高密度异构集成芯片封装相关的标准、文献、成果案例等资料，着手标准制定。

（2）确定标准框架，形成标准草案

2024年1月30日—2月9日，起草小组结合前期的调研和资料，多次召开内部研讨会，形成标准大纲，并邀请了专家和相关企业对标准进行技术指导，对《高密度异构集成芯片封装》的标准编制工作重点、标准制定依据和编制原则等形成了共识，同时完成标准草案稿的撰写。

（3）形成标准征求意见稿，开展征求意见

2025年2月10日—2025年2月27日，标准起草组对标准草案进行修改完善，包括调整基本原则内容、修改错误用词和格式等，在反复讨论和论证的基础上，修改形成了标准征求意见稿。

二、标准制定的目的和意义

《高密度异构集成芯片封装技术规范》旨在为高密度异构集成芯片封装构建一套完备、统一的技术准则。通过明确设备、零部件和材料的规格要求，例如规定表面轮廓仪需符合JB/T11271标准、芯片需符合GB/T36356标准，确保生产要素的质量达标。同时，该规范详细规定了封装准备、集成和成型等各环节的操作流程，包括晶圆研磨、键合机互连等步骤及其参数设定，从而实现生产流程的标准化。

在质量验收方面，规范涵盖了外观检验以及多种可靠性测试，确保产品质量的稳定性。此外，通过档案管理，便于实现生产过程的追溯与优化，

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从而全面提升封装过程的规范性和可控性，推动产业的有序发展。

从产业发展角度来看，该规范促使企业优化生产流程、提高产品质量，进而增强产业的整体竞争力，助力中国企业更好地融入国际市场，并在国际贸易中占据优势地位。在技术进步方面，它为企业创新奠定了基础，明确了研发方向，激发了企业探索新工艺、新材料和新设备的热情，推动行业技术的持续革新。

对于相关应用领域而言，稳定可靠的芯片封装技术为5G通信、人工智能等战略性新兴产业提供了有力支撑，保障了这些产业的稳定运行和快速发展。

三、标准编制原则

本标准在编制的过程中遵循“先进性、科学性、可操作性”的原则，按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

四、标准主要内容说明

1、标准主要内容

本标准规定了高密度异构集成芯片封装技术的总体要求、封装准备、高密度异构集成、封装成型、质量验收、档案管理。本标准适用于高密度异构集成芯片的封装。

2、规范性引用文件

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GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：

低温

GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：

高温

GB/T2423.3环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热

试验

GB/T2423.5环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲

击

GB/T2423.22环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化

GB/T28030接地导通电阻测试仪

GB/T30552电缆导体用铝合金线

GB/T36356功率半导体发光二极管芯片技术规范JB/T6148邵氏硬度计

JB/T11271接触（触针）式表面轮廓测量仪

3、主要内容说明

（1）总体要求

围绕高密度异构集成芯片封装，从设备、零部件、材料三方面明确要求。设备方面，表面轮廓仪、电阻测试仪、邵氏硬度计应分别符合JB/T11271、GB/T28030、