新疆开放大学《电工电子技术》课程复习题--课程ID-00289试卷号-22439.docx

新疆开放大学《电工电子技术》课程复习题

课程ID：00289试卷号：22439

一、选择题：

1、理想二极管的反向电阻为（无穷大）。

2.在换路瞬间，下列各项中除(电容电压)

3.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（减少线路的功率损耗）。

4.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压，则相电压（）。

5.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同(f1f2)的两电源下，此时线圈的磁通1和2关系是(12)。

6.一负载电阻为RL，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A／20A，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RL′＝R0时，则RL等于（8Ω）

7、3的电阻中通过2的电流，试问电阻两端的电压是（6V）。

8、有一额定值为5W500的线绕电阻，其额定电流为（0.1）。

9、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V的电源上，则取用的功率为（250）W。

10.稳压管起稳压作用，是利用它的（反向击穿特性）。

11.图右所示电路中P点电位为(5V)

12.采用差分放大电路是为了（抑制零点漂移）

13.交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，I对I将（它们之间没有关系）

14、如图电路中电压U为10V）

15.若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（电容性）

16．稳压管反向击穿后，其后果为（只要流过稳压管的电流值不超过允许范围，管子不会损坏）。

17、在电阻元件的交流电路中，电压和电流的相位（相同）

18、在电感元件的交流电路中，电压和电流的相位（电压的相位比电流的相位超前90°）

19、若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（电容性）

20．动态电阻r是表示稳压二极管性能的一个重要参数，它的大小与稳压性能的关系是（r越小则稳压性能越好）。

21.二极管两端加上正向电压时（超过死区电压才导通）

22、稳压二极管的动态电阻r是指（稳压管端电压变化量U与相应电流变化量I的比值）。

23、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（三极管可用较小的电流控制较大的电流）

24、二极管两端加上正向电压时（超过死区电压才导通）

25、理想二极管的正向电阻为（无穷大）。

26．我国通常应用的交流电工频为（50）Hz。

27.就放大作用而言，射极输出器是一种(有电流放大作用而无电压放大作用的电路)。

28.当三相对称交流电源接成星形时，若线电压为380V，则相电压为（380/）。

29触发器输出的状态取决于(输入信号和电路的原始状态)。

30.交流铁心线圈，当线圈匝数N增加一倍，则磁通将(增大)。

二．填空

31．电路由?电源???、??负载???和中间环节三部分组成。

32．如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反，那么这一元件是?电源??。

33、半导体是一种其导电能力介于??导体??与???绝缘体????之间的物质。

34、半导体分为本征?半导体和???PN?型半导体。

35、本征半导体和杂质半导体中都存在本征激发现象，产生自由电子，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。

36、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到N型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到P型杂质半导体。

37、在N型杂质半导体中，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

38.集成运放级间耦合方式是采用多级直接耦合。

39.集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻越小，带负载能力越强。

40、在P型杂质半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

41、Ｎ型半导体主要靠自由电子来导电，Ｐ型半导体主要靠空穴来导电。

42、ＰＮ结具有单向导电性，即加正向电压时，ＰＮ结导通，加反向电压时，ＰＮ结截止。

43、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流和最大反向工作电压。

44、半导体二极管按其所使用的材料可分为硅管和锗管两类。

45、硅管的导通压降约为0.7V，锗管的导通压降约为0.2V。

46、硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。

47、半导体二极管实质上就是一个PN结，它具有的特性是单向导电性。

48、半导体三极管分为NPN型和PNP型两类。

49、半导体三极管的结构分为三个区，分别是发射区、基区、集电区。

50、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结正偏，同时使集电结反偏。

51、在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为偏置电流，产生基极电流IB的电路称为共基极电路。

52、对一个放大