盲孔之填孔技术.pptVIP

盲孔之填孔技术2006/06/101

前言甚多电子产品其不断手执轻便化，与功能的一再增多，迫使某些PCB外形越来越小布局也越来越密，传统HDI多层板已经无法满足此等密度的需求。一旦盲孔之腔体得以顺利完成导电物质的填平时，不仅可以做到垫内盲孔的焊接，而且还可以采用上下叠孔的方式，以替代局部层次或全层次之间的通孔。目前最廉价、最方便的是镀铜之填充技术；2006/06/102

填孔电镀之优点协助推动垫内盲孔或堆叠盲孔的设计理念可以防止镀铜中盲孔孔口的不良闭合，而导致镀铜液夹存在内；且填平后更可以减少焊点焊料中吹气所形成的空洞；镀铜填孔与电性互连可以一次完成；盲孔电镀填孔后的可靠度与导电品质均比其它导电性填膏更好；2006/06/103

叠孔的制作流程比照公司叠孔制作流程：填孔制作流程Laser镀盲孔树脂塞孔砂带研磨镀盲孔面铜压合Laser填孔电镀压合2006/06/104

叠孔不同流程图片比照公司叠孔制作流程：填孔制作流程2006/06/105

填孔电镀之目标填孔率：当盲孔孔径在3.2~4.8mil,孔深在2~3.2mil且在平均镀铜厚度到达1mil时，其填孔率目标希望超过80%以上。AB2006/06/106

填孔的原理以直流方式加速盲孔内镀铜而使之填平，其主要机理是得自有机添加剂的参与；电镀过程中，刻意让孔内的光泽剂(加速镀铜者)浓度增加，让板面之光泽剂浓度减少，如此将使得孔内铜厚超过面铜，凹陷区域得以填平；2006/06/107

填孔的原理运载剂：主要是聚氧烷基式大分子量式化合物，协同氯离子一起吸附在阴极外表高电流区，降低镀铜速率.光泽剂：主要是含硫的小分子量化合物,吸附在阴极外表低电流区，可排挤掉已附着的运载剂,而加速镀层的沉积.整平剂：主要是含氮的杂环类或非杂环类芳香族化学品,可在突出点高电流区赶走已着落的光泽剂粒子,从而压抑该区之快速镀铜,使得全板面铜厚更为均匀.2006/06/108

制程化学参数镀铜液中无机物成份：硫酸铜硫酸氯化物(HCL)不同硫酸铜浓度填孔差异硫酸铜浓度提升时,填孔的效果比较好.但是对于通孔的分布力确刚好相反,也就是当硫酸铜浓度增加时,通孔铜厚的分布反而下降.2006/06/109

制程化学参数以下为不同硫酸铜浓度在不同电流密度下通孔贯孔能力.2006/06/1010

制程物理参数镀铜物理参数分别为：电流密度搅拌镀铜厚度温度供电方式(DC或者PPR)2006/06/1011

物理参数之说明电流密度：一般而言,电流密度越高其填孔率越差,且盲孔之深度越深者,此种效果越明显;填充率不佳者不但盲孔填不平,而且还可能会形成包夹在内的堵死空洞;2006/06/1012

物理参数之说明槽液之搅拌：良好的搅拌是填孔的重要因素;空气搅拌与槽液喷流搅拌比照,喷流搅拌对盲孔填充率及均匀性均好于空气搅拌.2006/06/1013

物理参数之说明镀铜厚度：镀铜厚度越厚时,填孔率也越好;当填孔口径增大时,那么需要更多的铜量去填充,困难度也随之增加;2006/06/1014

填孔最正确参数D/C填孔参数PPR填孔参数参数目标值范围五水硫酸铜硫酸氯离子添加剂VFA添加剂VFB电流密度温度200g/L100g/L50PPM2.0ml/L20ml/L15ASF23℃190~210g/L90~110g/L40~60PPM1.5~2.5ml/L15~30ml/L10~20ASF22~25℃参数目标值范围五水硫酸铜硫酸氯离子添加剂VFA添加剂VFB电流密度正反电流比正反时间比温度130g/L190g/L50PPM1.0ml/L5.0ml/L20ASF1A/0.5A1/0.5ms20℃120~140g/L180~200g/L40~60PPM0.5~1.5ml/L4.0~6.0ml/L10~30ASF18~23℃2006/06/1015

填孔最正确参数D/C填孔参数Normal镀铜参数参数目标值范围五水硫酸铜硫酸氯离子添加剂VFA添加剂VFB电流密度温度200g/L100g/L50PPM2.0ml/L20ml/L15ASF23℃190~210g/L90~110g/L40~60PPM1.5~2.5ml/L15~30ml/L10~20ASF22~25℃参数目标值范围五水硫酸铜硫酸氯离子BrightnerLeveller电流密度温度65g/L200g/L50PPM0.5ml/L20ml/L20ASF24℃60~90g/L190~210g/L40~60PPM0.3~0.8ml/L15~25ml/L10~25ASF22~26℃2006/06/1016

光剂分解物对填孔的影响在生产过程中，光泽剂分解后会在槽液中不断的累积，使得填孔能力不断的下降；停机过程中产生的化学分解；操作过程中产生的电化学的分解；通常有机副产物多半呈钝态，不影响镀铜