JXP4606BSRG 20V N沟道和P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技29.pdf

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2025-03-06 发布于广东
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JXP4606BSRG 20V N沟道和P沟道增强型MOSFET SOP-8 -深圳恒锐丰科技29.pdf

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靖芯JXP4606BSRG

STBCHIP20VNAndP-ChannelEnhancementMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP4606BSRGusesadvancedtrench

technologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)

withlowgatecharge.Thecomplementary

MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhigh

sideswitch,andforahostofotherapplications.

GENERALFEATURES

N-Channel

VDS=20V，ID=5A

RDS(ON)(Typ.)=35mΩ@VGS=2.5V

RDS(ON)(Typ.)=25mΩ@VGS=4.5V

PINASSIGNMENT

P-Channel

VDS=-20V，ID=-5ASOP-8

RDS(ON)(Typ.)=65mΩ@VGS=-2.5VTopViewBottomView

RDS(ON)(Typ.)=55mΩ@VGS=-4.5V

Highpowerandcurrenthandingcapability

Leadfreeproductisacquired

Surfacemountpackage

APPLICATION

Powerswitchingapplication

Hardswitchedandhighfrequencycircuits

UninterruptiblepowersupplyXXYY:XX—yearscode，YY—weekscode

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP4606BSRG-55°Cto+150°CSOP-84606B/XXYY4000

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS

(TA=25℃unlessotherwisenoted)

limit

parametersymbolunit

Drain-sourcevoltageVDS20-20V

Gate-sourcevoltageVGS

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