《半导体制冷器制冷性能测试方法》.pdf

ICS31.80.01

UNSPSC23.21.11

CCSL40

团体标准

T/UNPXXXX—2024

半导体制冷器制冷性能测试方法

Testingmethodforrefrigerationperformanceofsemiconductorrefrigerator

（征求意见稿）

2024-XX-XX发布2024-XX-XX实施

中国联合国采购促进会  发布

T/UNPXXXX—2024

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测试原理1

5测试条件与设备1

环境条件1

测试设备2

6测试步骤2

测试前准备2

初始参数测量3

通电测试3

负载调整测试3

测试结束3

7数据处理3

制冷量计算3

制冷系数计算3

冷热端温差计算4

8测试结果判定4

性能指标判定4

一致性判定4

9测试记录与报告4

参考文献5

I

T/UNPXXXX—2024

半导体制冷器制冷性能测试方法

1范围

本文件规定了半导体制冷器制冷性能测试的测试原理、测试条件与设备、试样制备、测试步骤、性

能参数计算、测试结果判定和测试记录与报告。

本文件适用于半导体制冷器制冷性能的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T10586湿热试验箱技术条件

GB/T17626.3电磁兼容试验和测量技术第3部分：射频电磁场辐射抗扰度试验

3术语和定义

规范性引用文件

半导体semiconductor

-512

导电性能介于导体与绝缘体之间,室温下电阻率约为10 Ω·cm～10 Ω·cm,由带正电的空穴和带

负电的电子两种载流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效应的固体物质。

注：半导体按其结构分为单品体、多晶体和非晶体。

[来源：GB/T14264-2024,3.1]

4测试原理

应利用半导体制冷器在直流电源驱动下产生帕尔贴效应的原理，通过测量半导体制冷器冷端和热端

的温度、输入电流、电压等参数，依据相关公式计算出制冷量、制冷系数、冷热端温差等制冷性能参数，

以此判定半导体制冷器的制冷性能。

5测试条件与设备

环境条件

5.1.1温度控制

温度控制符合以下要求：

a)应将试验环境温度稳定在24 ℃～26 ℃，温度波动幅度在30min内不应超过±0.3 ℃；

b)应采用高精度的恒温恒湿箱进行温度调节，其温度控制精度应符合GB/T10586的规定；

c)应在试验区域内均匀布置不少于3个温度传感器，实时监测环境温度并记录数据，数据记录