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《半导体器件工艺学》;课程目标与学习要求;半导体产业发展历程;摩尔定律与集成电路发展;半导体材料基础知识;晶体结构与能带理论;半导体的电学特性;半导体掺杂原理;载流子的运动与复合;半导体制造工艺概述;晶体生长技术;直拉法制备单晶;区熔法制备单晶;外延生长技术;气相外延原理与设备;分子束外延技术;氧化工艺原理;热氧化动力学;氧化层的性质与应用;光刻工艺概述;光刻胶的性质与应用;曝光技术与设备;掩模版设计与制作;刻蚀工艺基础;湿法刻蚀技术;干法刻蚀技术;离子注入技术原理;离子注入设备与工艺;杂质分布与缺陷控制;热处理工艺基础;退火工艺与设备;快速热处理技术;薄膜沉积技术概述;物理气相沉积(PVD);化学气相沉积(CVD);原子层沉积(ALD);金属化工艺;多层互连技术;化学机械抛光(CMP);绝缘介质工艺;器件隔离技术;MOS结构制造工艺;栅极工艺技术;源漏区形成;接触和互连工艺;双极型晶体管工艺;;存储器工艺技术;功率器件工艺;微机电系统(MEMS)工艺;封装技术概述;芯片测试与可靠性;;洁净室技术;工艺监控与计量;质量控制体系;未来器件工艺趋势;新型半导体材料工艺;先进封装技术发展;
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