电工电子技术基础（第五版）课件：晶体管放大电路分析.pptx

晶体管放大电路分析

6.1变晶体管的特性与识别6.1.1晶体管的基本结构及类型6.1.2晶体管的放大原理6.1.3晶体管的特性曲线6.1.4晶体管的主要参数6.2放大电路分析6.2.1共发射极放大电路6.2.2基本共集放大电路6.3集成运算放大电路6.3.1差动放大电路6.3.2互补对称电路6.3.3集成运放基本简介6.3.4集成运放在模拟信号运算方面的应用

6.1晶体管的特性与识别6.1.1晶体管基本结构及类型

基区集电区发射区基极集电极发射极集电结发射结NPN型结构及符号VTNPN型结构

PNP型结构和符号特点：发射区参杂浓度很大，基区薄且浓度低，集电结面积大。VTPNP型结构

6.1晶体管的特性与识别6.1.2晶体管放大原理

１．放大条件（１）内部特点决定 发射区产生大量载流子基区传送载流子集电区收集载流子（２）外部条件 发射结正偏，集电结反偏

IEICIBRBRCEBECNNP发射区电子发射结正偏利于发射区发射电子基区集电结反偏利于集电区收集电子集电区2.电流分配

IBRBEBICRCECIE基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。直流放大系数交流放大系数

6.1晶体管的特性与识别6.1.3晶体管特性曲线

1.输入特性曲线IB＝f(UBE)︳UCE=常数发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。集电结反偏，IB减小UCE1IB变化很小，与UCE=1曲线重合。IB(μA)UBE(V)UCE=0UCE≥1

2．输出特性曲线饱和区截止区放大区截止区IB≈0，IC≈0，UBE≤0发射结反偏，集电结反偏。放大区IC＝βIB发射结正偏，集电结反偏。饱和区UCE≤UBE，发射结正偏、集电结正偏。IC(mA)UCE(V)IB＝0IB＝20IB＝40IB＝60IB＝80

6.1晶体管的特性与识别6.1.4晶体管主要参数

2．极间反向电流ICBO：发射极开路，基极与集电极间的反向饱和电流，受温度影响大。ICEO：基极开路，集电极与发射极间的穿透电流。1．放大倍数

集电极最大电流ICMICICM集电极—发射极反向击穿电压UCEO基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。UCEUCEO集电极最大允许功耗PCMICUCEPCM3．极限参数

6.2放大电路分析6.2.1共发射极放大电路

一放大的概念放大的实质:用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。对放大电路的基本要求：1.要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。2.尽可能小的波形失真。另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术指标。

二电路组成晶体管T--放大元件,iC=?iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使晶体管工作在放大区。基极电源EB与基极电阻RB--使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE

共发射极基本电路ECRSesRBEBRCC1C2T++–RL++––ui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE信号源负载集电极电源EC--为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻RC--将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容C1、C2--隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。

+UCCRSesRBRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE共发射极基本电路常用的画法

1、基本思想非线性电路经适当近似后可按线性电路对待，利用叠加定理，分别分析电路中的交、直流成分。分析三极管电路的基本思想和方法直流通路(ui=0)分析静态。画交流通路原则：1.固定不变的电压源都视为短路；2.固定不变的电流源都视为开路；3.视电容对交流信号短路交流通路(ui?0)分析动态，只考虑变化的电压和电流。

2、基本方法图解法：在输入、输出特性图上画交、直流负载线，求静态工作点“Q”，分析动态波形及失真等。