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JXP25P03 30V P沟道增强型MOSFET -深圳恒锐丰科技15.pdf

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靖芯JXP25P03

STBCHIP30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM

TheJXP25P03usesadvancedtrench

S

technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandhighdensitycellDesignforultralow

on-resistance.ThisdeviceissuitableforuseasG

aloadswitchorinPWMapplications.

GENERALFEATURESD

VDS=-30V,ID=-25A

PINASSIGNMENT

RDS(ON)(Typ.)=11.5mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=9mΩ@VGS=-10VDFN3*3-8L/PDFN3*3-8L

Highpowerandcurrenthandingcapability

LeadfreeproductisacquiredS15D

S26D

Surfacemountpackage

S37D

APPLICATIONG48D

PWMapplications5678

Loadswitch

25P03

PACKAGEXXYY

4321

DFN3×3-8L

PDFN3*3-8LNote:XX:YearCode;YY:WeekCode.

ORDERINGINFORMATION

PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel

JXP25P03SDRG-55°Cto+150°CDFN3×3-8L

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