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靖芯JXP1205MRG
STBCHIP12VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP1205MRGusesadvancedtrenchS
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
G
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
D
VDS=-12V，ID=-6A
RDS(ON)(Typ.)=35mΩ@VGS=-2.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=27mΩ@VGS=-4.5V
HighpowerandcurrenthandingcapabilitySOT23-3L
Leadfreeproductisacquired(TOPVIEW)
SurfacemountpackageD
3
APPLICATION
PWMapplications1205
Loadswitch
PACKAGE12
GS
SOT23-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP1205MRG-55°Cto+150°CSOT23-3L12053000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA=25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-12V
Gate-sourcev
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