高密度异构集成芯片封装技术规范.pdf

ICS31.200

UNSPSC32.10.16

CCSL55

团体标准

T/UNPXXXX—2025

高密度异构集成芯片封装技术规范

Technicalspecificationforhigh-densityheterogeneousintegratedchippackaging

（征求意见稿）

2025-XX-XX发布2025-XX-XX实施

中国联合国采购促进会  发布

T/UNPXXXX—2025

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4总体要求1

设备要求1

零部件要求2

材料要求2

5封装准备2

晶圆研磨2

芯片清洗2

基板清洗2

6高密度异构集成2

键合机互连2

TSV互连3

7封装成型3

注塑成型3

固化成型3

8质量验收3

外观检验3

可靠性测试3

9标志、标签和包装4

标志、标签4

包装4

10档案管理4

参考文献5

I

T/UNPXXXX—2025

高密度异构集成芯片封装技术规范

1范围

本文件规定了高密度异构集成芯片封装的总体要求、封装准备、高密度异构集成、封装成型、质量

验收、标志、标签和包装、档案管理。

本文件适用于高密度异构集成芯片的封装。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温

GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温

GB/T2423.3环境试验第2部分：试验方法试验Cab：恒定湿热试验

GB/T2423.5环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击

GB/T2423.22环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化

GB/T28030接地导通电阻测试仪

GB/T30552电缆导体用铝合金线

GB/T36356功率半导体发光二极管芯片技术规范

JB/T6148邵氏硬度计

JB/T11271接触（触针）式表面轮廓测量仪

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

芯片die

由半导体晶圆分割而成，它可由分立器件或集成电路组成。

[来源：GB/T35010.1—2018，3.1.1]

晶圆wafer

集成电路制作所用的硅晶片。

[来源：GB/T41213—2021，3.1]

封装package

为一个或多个半导体芯片膜元件或其他元件提供电连接并提供机械和环境保护的包封件。

[来源：GB/T35010.1—2018，3.2.7]