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常用半导体元器件及应用
第一节半导体二极管及应用
第二节晶体管
第三节单管基本放大电路
第四节多级放大器
第一节半导体二极管及应用
半导体:导电能力介于导体和绝缘体之间
的物质称为半导体。常用的半导体有硅、锗等。
n本征半导体
¨一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体
¨本征半导体虽有大量的价电子,但没有自由
电子,此时半导体是不导电的。
多数载流子
正离子
+4+4+4
+4+5+4
少数载流子
磷原子
自由电子
N型载流子数电子数
+4+4+4负离子
+4+3+4
多数载流子少数载流子
硼原子空穴
载流子数空穴数
P型
PN结
P型内建电场N型
空间电荷区
IF
P区N区
外电场内电场
IR
P区N区
内电场
外电场
PN结具有单向导电性
正偏:在PN结上加正向
电压时,PN结电阻很
低,正向电流较大,P
N结处于导通状态。
反偏:加反向电压时,PN
结电阻很高,反向电流很小,
PN结处于截止状态。
二、二极管的结构和符号
半导体二极管,其结构与图形符号如图5-1,常见外形如
图5-2。
外壳
K
AVD
(阳极)(阴极)(阳极)(阴极)
PN
+-+-
阳极引线阴极引线
a)b)
图形符
结构
号
图5-1二极管的结构与图形符号
图5-2常见外形图
三、二极管的伏安特性
二极管的主要特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图5-
3所示。(以正极到负极为参考方向)。
1.正向特性
1)外加正向电压很小时,二极管呈现较大的电阻,几乎没有
正向电流通过。曲线OA段(或OA段)称作死区,点A
(或A)的电压称为死区电压,硅管的死区电压一般为0.5V,
锗管则约为0.1V。
2)二极管的正向电压大于死区电压后,二极管呈现很小的
电阻,有较大的正向电流流过,称为二极管导通,如AB段
(或AB)特性曲线所示,此段称为导通段。从图中可以看
出:硅管电流上升曲线比锗管更陡。二极管导通后的电压为
导通电压,硅管一般为0.7V,锗管约为0.3V。
图
2.反向特性5-3
1)当二极管承受反向电压时,其反向电阻很大,此时仅有非
常小的反向电流(称为反向饱和电流或反向漏电流),如曲
线段OC(或OC段)所示。实际应用中二极管的反向饱和电
流值越小越好,硅管的反向电流比锗管小得多,一般为几十
微安,而锗管为几百微安。
2)当反向电压增加到一定数值时(如曲线中的C
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