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JXP7P03MRG
30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP7P03MRGusesadvancedtrench
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
V-30V，I-7A
DSD
RDS(ON)(Typ.)31mΩ@VGS-4.5V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)22mΩ@VGS-10V
Highpowerandcurrenthandingcapability
Leadfreeproductisacquired
Surfacemountpackage
APPLICATION
PWMapplications
Loadswitch
PACKAGE
SOT23-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP7P03MRG-55°Cto+150°CSOT23-3L7P033000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(TA25℃unlessotherwisenoted)
parametersymbollimitunit
Drain-sourcevoltageVDS-30V
Gate-sourcevoltageVGS±20V
T25°C-7.0
A
Continuousdraincurrent(T150°C)aI
JD
T70°C-5.6
A
A
Pulseddraincurrent
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