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基于电荷平衡优化的槽型超结LDMOS结构创新与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子系统中，功率半导体器件扮演着至关重要的角色，广泛应用于电源管理、电机驱动、通信基站等众多领域。横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）作为功率半导体器件的重要成员，凭借其独特的结构和性能优势，在高频、高压应用场景中占据了重要地位。LDMOS具有开关频率高、线性度好、易于驱动等特点，并且与CMOS工艺兼容性良好，能够有效降低制造成本并提高集成度，因此被广泛应用于移动通信、汽车电子、航空航天等领域。

随着科技的不断进步，对LDMOS性能的要求也日益提高。在追求更高击穿电压的同时，