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靖芯JXP3N20PRG
STBCHIP200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
DESCRIPTIONSCHEMATICDIAGRAM
TheJXP3N20PRGusesadvancedtrench
D
technologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate
chargeandhighdensitycellDesignforultralow
on-resistance.Thisdeviceissuitableforuseas
G
aloadswitchorinPWMapplications.
GENERALFEATURES
S
ID=3A,VDS=200V
RDS(ON)(Typ.)=1.65Ω@VGS=10V
PINASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=1.85Ω@VGS=4.5V
HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON)SOT-89-3L
Fullycharacterizedavalanchevoltageand（Topview）
current
D
GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
Excellentpackageforgoodheatdissipation
SpecialprocesstechnologyforhighESD
capability
APPLICATIONJX3N20
PWMapplications
Loadswitch
PACKAGE
GDS
SOT-89-3L
ORDERINGINFORMATION
PartNumberStorageTemperaturePackageMarkingDevicesPerReel
JXP3N20PRG-55°Cto+150°CSOT-89-3LJX3N201000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS
(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-sourcevoltageVDS
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