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4H-SiC沟槽栅IGBT的优化设计与性能提升研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，电力作为最主要的能源形式之一，广泛应用于各个领域，从日常生活到工业生产，从交通运输到通信技术，电力的稳定供应和高效利用是现代社会正常运转的基础。随着科技的飞速发展和人们生活水平的不断提高，对电力的需求不仅在数量上持续增长，在质量和效率方面也提出了更高的要求。传统的电力电子器件在应对这些挑战时，逐渐暴露出诸多局限性，如导通电阻大、开关速度慢、损耗高等问题，严重制约了电力系统的性能提升和能源利用效率的提高。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为电力电子领域的核心器件之一，在过去几十年中得到了广泛的研究和应